理工科考研辅导系列·电子信息类：模拟电子技术名校考研真题详解
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作者:
金圣才主编
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出版社:
中国水利水电出版社
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ISBN:
9787508464374
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出版时间:
2010-04
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版次:
1
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印刷时间:
2010-04
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印数:
1千册
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装帧:
平装
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开本:
16开
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页数:
281页
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作者:
金圣才主编
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出版社:
中国水利水电出版社
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ISBN:
9787508464374
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出版时间:
2010-04
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版次:
1
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印刷时间:
2010-04
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印数:
1千册
售价
￥
21.00
6.0折
定价
￥35.00
品相
九五品
上书时间2015-11-16
卖家超过10天未登录
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商品描述：
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【图书描述】:
本书分为10章，每章包括重点与难点解析、名校考研真题详解、名校期末考试真题详解三部分。内容涉及运算放大器、二极管及其基本电路、场效应管放大电路、模拟集成电路、反馈放大电路等。
【内容简介】:
《模拟电子技术名校考研真题详解》分为10章，每章包括三部分内容：第一部分是重点与难点解析：第二部分是名校考研真题详解；第三部分是名校期末考试真题详解。《模拟电子技术名校考研真题详解》所选题目均为知名院校近年的考研和期末考试真题，《模拟电子技术名校考研真题详解》对所有真题均进行了详细解答。通过这些真题及其详解，读者可以了解和掌握相关院校考研、期末考试的出题特点和解题方法。
《模拟电子技术名校考研真题详解》特别适合备战考研和大学期末考试的读者，对于参加相关专业同等学力考试、自学考试、资格考试的考生也具有较高的参考价值。
【目录】:
前言
第1章 绪论
1.1 重点与难点解析
1.2 名校考研真题详解
第2章 运算放大器
2.1 重点与难点解析
2.2 名校考研真题详解
2.3 名校期末考试真题详解
第3章 二极管及其基本电路
3.1 重点与难点解析
3.2 名校考研真题详解
3.3 名校期末考试真题详解
第4章 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 重点与难点解析
4.2 名校考研真题详解
4.3 名校期末考试真题详解
第5章 场效应管放大电路
5.1 重点与难点解析
5.2 名校考研真题详解
5.3 名校期末考试真题详解
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第6章 模拟集成电路
6.1 重点与难点解析
6.2 名校考研真题详解
6.3 名校期末考试真题详解
第7章 反馈放大电路
7.1 重点与难点解析
7.2 名校考研真题详解
7.3 名校期末考试真题详解
第8章 功率放大电路
8.1 重点与难点解析
8.2 名校考研真题详解
8.3 名校期末考试真题详解
第9章 信号处理与信号产生电路
9.1 重点与难点解析
9.2 名校考研真题详解
9.3 名校期末考试真题详解
第10章 直流稳压电源
10.1 重点与难点解析
10.2 名校考研真题详解
10.3 名校期末考试真题详解
【文摘】:
在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差，N型区内的电子很多而空穴很少，P型区内的空穴很多而电子很少，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因此，有些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。
②电子和空穴的复合形成了空间电荷区。
电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。P区失去空穴留下带负电韵离子，N区失去电子留下带正电的离子，这些离子因物质结构的关系，它们不能移动，因此称为空间电荷，它们集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是所谓的PN结。
③空间电荷区产生的内电场E又阻止多子的扩散运动。
在空间电荷区后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间、电荷区中形成一个电场，其方向从带正电的N区指向带负电的P区，由于该电场是由载流子扩散后在半导体内部形成的，故称为内电场。因为内电场的方向与电子的扩散方向相同，与空穴的扩散方向相反，所以它是阻止载流子的扩散运动的。
综上所述，PN结中存在着两种载流子的运动：一种是多子克服电场的阻力的扩散运动；另一种是少子在内电场的作用下产生的漂移运动.因此，只有当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度和内建电场才能相对稳定。由于两种运动产生的电流方向相反，因而在无外电场或其他因素激励时，PN结中无宏观电流。
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