成功加入购物车
正版书,内有笔记如图不影响阅读
陈星弼 著 / 电子工业出版社 / 2011-02 / 平装
售价 ¥ 15.00 3.0折
定价 ¥49.80
品相 八五品
优惠 满包邮
延迟发货说明
上书时间2023-12-09
卖家超过10天未登录
微电子器件(第3版)
本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题,便于读者巩固及加深对所学知识的理解。
第1章半导体器件基本方程 1�1半导体器件基本方程的形式1�2基本方程的简化与应用举例本章参考文献第2章PN结 2�1PN结的平衡状态2�1�1空间电荷区的形成2�1�2内建电场、内建电势与耗尽区宽度2�1�3能带图2�1�4线性缓变结2�1�5耗尽近似和中性近似的适用性[1]2�2PN结的直流电流电压方程2�2�1外加电压时载流子的运动情况2�2�2势垒区两旁载流子浓度的玻耳兹曼分布2�2�3扩散电流2�2�4势垒区产生复合电流[2,3]2�2�5正向导通电压2�2�6薄基区二极管2�3准费米能级与大注入效应2�3�1自由能与费米能级2�3�2准费米能级2�3�3大注入效应2�4PN结的击穿2�4�1碰撞电离率和雪崩倍增因子2�4�2雪崩击穿2�4�3齐纳击穿2�4�4热击穿2�5PN结的势垒电容2�5�1势垒电容的定义2�5�2突变结的势垒电容2�5�3线性缓变结的势垒电容2�5�4实际扩散结的势垒电容2�6PN结的交流小信号特性与扩散电容2�6�1交流小信号下的扩散电流2�6�2交流导纳与扩散电容2�6�3二极管的交流小信号等效电路2�7PN结的开关特性2�7�1PN结的直流开关特性2�7�2PN结的瞬态开关特性2�7�3反向恢复过程2�7�4存储时间与下降时间2�8SPICE中的二极管模型习题二本章参考文献第3章双极结型晶体管 3�1双极结型晶体管基础3�1�1双极结型晶体管的结构3�1�2偏压与工作状态3�1�3少子浓度分布与能带图3�1�4晶体管的放大作用3�2均匀基区晶体管的电流放大系数[1~11]3�2�1基区输运系数3�2�2基区渡越时间3�2�3发射结注入效率3�2�4电流放大系数3�3缓变基区晶体管的电流放大系数3�3�1基区内建电场的形成3�3�2基区少子电流密度与基区少子浓度分布3�3�3基区渡越时间与输运系数3�3�4注入效率与电流放大系数3�3�5小电流时放大系数的下降3�3�6发射区重掺杂的影响3�3�7异质结双极型晶体管3�4双极结型晶体管的直流电流电压方程3�4�1集电结短路时的电流3�4�2发射结短路时的电流3�4�3晶体管的直流电流电压方程3�4�4晶体管的输出特性3�4�5基区宽度调变效应3�5双极结型晶体管的反向特性3�5�1反向截止电流3�5�2共基极接法中的雪崩击穿电压3�5�3共发射极接法中的雪崩击穿电压3�5�4发射极与基极间接有外电路时的反向电流与击穿电压3�5�5发射结击穿电压3�5�6基区穿通效应3�6基极电阻3�6�1方块电阻3�6�2基极接触电阻和接触孔边缘下到工作基区边缘的电阻3�6�3工作基区的电阻和基极接触区下的电阻3�7双极结型晶体管的功率特性3�7�1大注入效应3�7�2基区扩展效应3�7�3发射结电流集边效应3�7�4晶体管的热学性质3�7�5二次击穿和安全工作区3�8电流放大系数与频率的关系3�8�1高频小信号电流在晶体管中的变化3�8�2基区输运系数与频率的关系3�8�3高频小信号电流放大系数3�8�4晶体管的特征频率3�8�5影响高频电流放大系数与特征频率的其他因素3�9高频小信号电流电压方程与等效电路3�9�1小信号的电荷控制模型3�9�2小信号的电荷电压关系3�9�3高频小信号电流电压方程3�9�4Y参数3�9�5小信号等效电路3�10功率增益和最高振荡频率3�10�1高频功率增益与高频优值3�10�2最高振荡频率3�10�3高频晶体管的结构3�11双极结型晶体管的开关特性3�11�1晶体管的静态大信号特性3�11�2晶体管的直流开关特性3�11�3晶体管的瞬态开关特性3�12SPICE中的双极晶体管模型3�12�1埃伯斯-莫尔(EM)模型3�12�2葛谋-潘(GP)模型[46]3�13双极结型晶体管的噪声特性3�13�1噪声与噪声系数3�13�2晶体管的噪声源3�13�3晶体管的高频噪声等效电路3�13�4晶体管的高频噪声系数3�13�5晶体管高频噪声的基本特征习题三本章参考文献第4章绝缘栅型场效应晶体管4�1MOSFET基础4�2MOSFET的阈电压4�2�1MOS结构的阈电压4�2�2MOSFET的阈电压4�3MOSFET的直流电流电压方程4�3�1非饱和区直流电流电压方程4�3�2饱和区的特性4�4MOSFET的亚阈区导电4�5MOSFET的直流参数与温度特性4�5�1MOSFET的直流参数4�5�2MOSFET的温度特性4�5�3MOSFET的击穿电压4�6MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性4�6�1MOSFET的小信号交流参数4�6�2MOSFET的小信号高频等效电路4�6�3最高工作频率和最高振荡频率4�6�4沟道渡越时间4�7MOSFET的噪声特性[8]4�7�11/f噪声4�7�2沟道热噪声4�7�3诱生栅极噪声4�7�4高频噪声等效电路和高频噪声系数4�8短沟道效应4�8�1小尺寸效应4�8�2迁移率调制效应4�8�3漏诱生势垒降低效应4�8�4强电场效应4�9MOSFET的发展方向4�9�1按比例缩小的MOSFET4�9�2双扩散MOSFET4�9�3SOS�MOSFET4�9�4深亚微米MOSFET4�10SPICE中的MOSFET模型4�10�1MOS1模型4�10�2MOS2模型4�10�3MOS3模型4�10�4电容模型4�10�5小信号模型4�10�6串联电阻的影响习题四本章参考文献第5章半导体异质结器件5�1半导体异质结5�1�1半导体异质结的能带突变5�1�2半导体异质结伏安特性5�2高电子迁移率晶体管(HEMT)5�2�1高电子迁移率晶体管的基本结构5�2�2HEMT的工作原理5�2�3异质结界面的二维电子气5�2�4高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性5�2�5HEMT的高频模型5�2�6HEMT的高频小信号等效电路5�2�7高电子迁移率晶体管(HEMT)的频率特性5�3异质结双极晶体管(HBT)5�3�1HBT的基础理论5�3�2能带结构与HBT性能的关系5�3�3异质结双极晶体管的特性5�3�4Si/Si1-xGex异质结双极晶体管习题五本章参考文献附录A晶体管设计中的一些常用图表A�1扩散结势垒区宽度xd与势垒电容CT和外加电压V的关系曲线A�2室温下硅电阻率随施主或受主浓度的变化A�3扩散结的耗尽区在扩散层一侧所占厚度xCB对耗尽区总A�4硅中扩散层的电导率曲线A�5硅中载流子的迁移率与扩散系数曲线
展开全部
配送说明
...
相似商品
为你推荐
开播时间:09月02日 10:30