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作者:
编者:朱丽萍//何海平//潘新花//叶志镇|责编:徐霞
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出版社:
浙江大学
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ISBN:
9787308229159
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出版时间:
2022-11
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装帧:
其他
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开本:
其他
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作者:
编者:朱丽萍//何海平//潘新花//叶志镇|责编:徐霞
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出版社:
浙江大学
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ISBN:
9787308229159
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出版时间:
2022-11
售价
￥
32.55
6.6折
定价
￥49.00
品相
全新
上书时间2024-05-26
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商品描述：
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导语摘要
随着信息技术的飞速发展，半导体材料的应用逐渐从集成电路拓展到微波、功率和光电等应用领域。传统元素半导体硅材料不再能满足这些多元化需求，化合物半导体应运而生并快速发展。本书以浙江大学材料科学工程学系“宽禁带化合物半导体材料与器件”课程讲义为基础，参照全国各高等院校半导体材料与器件相关教材，结合课题组多年的研究成果编写而成。此书的编写目的是为高等院校学生提供一本学习和掌握化合物半导体材料与器件的参考书。
目录
第1章 绪 论
1.1 宽带隙半导体概念
1.2 常见宽禁带化合物半导体
思考题
参考文献
第2章 化合物半导体材料基础
2.1 半导体
2.2 半导体材料的分类
2.2.1 元素半导体
2.2.2 化合物半导体
2.2.3 半导体固溶体
2.3 化合物半导体的特性
2.3.1 化合物半导体的晶体结构和化合键
2.3.2 化合物半导体的能带结构
思考题
参考文献
第3章 固化合物半导体中的缺陷
3.1 缺陷理论基础
3.1.1 点缺陷的分类
3.1.2 点缺陷的符号表示方法
3.1.3 点缺陷在半导体中的施主或受主作用及它们的能级位置
3.2 ZnO中的杂质与缺陷
3.2.1 ZnO中的本征点缺陷
3.2.2 ZnO中绿色发光起源
3.2.3 ZnO中的故意掺杂
思考题
参考文献
第4章 宽带隙半导体发光
4.1 半导体中的光跃迁
4.1.1 半导体吸收跃迁
4.1.2 半导体中的带间跃迁辐射复合发光
4.2 激子
4.3 半导体发光光谱和辐射复合
4.4 激子复合
4.5 深能级中心相关的发光跃迁
4.6 时间分辨发光光谱
4.7 宽带隙半导体材料发光研究实例
思考题
参考文献
第5章 pn结
5.1 同质结
5.1.1 热平衡状态下的pn结
5.1.2 pn结的伏安特性
5.2 异质结
5.2.1 异质结的能带图
5.2.2 异型异质结的电学特性
思考题
参考文献
第6章 超晶格与量子阱
6.1 超晶格和量子阱发展概况
内容摘要
全书共10章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、
GaN、ZnO和Ga2O3的研究现状。
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