图说集成电路制造工艺普通图书/工程技术编者:孙洪文|责编:耍利娜化学工业 9787432902

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作者: 编者:孙洪文|责编:耍利娜
出版社: 化学工业
ISBN: 9787122432902

出版时间: 2023-08
装帧: 平装
开本: 其他

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出版社: 化学工业

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工程技术

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目录
第1篇  集成电路制备前的准备工作
第1章　点石成金的神奇行业2
1.1　有趣的半导体产业历史2
1.1.1　电子管时代3
1.1.2　晶体管时代4
1.1.3　集成电路时代5
1.2　半导体行业现状11
1.2.1　半导体行业概况11
1.2.2　半导体设计业现状14
1.2.3　半导体制造业现状15
1.2.4　半导体封测行业现状18
1.2.5　中国大陆半导体产业现状20
1.3　芯片是怎样炼成的？24

第2章　电子产业的基石——硅27
2.1　炼丹炉里生长硅27
2.2　硅的“脾性”31
2.3　半导体器件的基础——PN结34
2.4　双极型晶体管37
2.5　MOS管40
2.6　应力工程-应变硅43
2.7　鳍式场效应晶体管46

第3章　芯片制造的战略支援部队47
3.1　比手术室还干净的地方——净化间47
3.1.1　良率——半导体制造的生命线47
3.1.2　沾污的类型与来源48
3.1.3　净化间的结构51
3.2　半导体制造中的化学品52
3.2.1　化学溶液52
3.2.2　气体54
3.3　半导体设备55
3.4　半导体测量56
3.5　集成电路设计与制造的桥梁——掩膜版60

第4章　集成电路工艺概述62
4.1　Fab的分区62
4.2　典型CMOS工艺流程63
4.3　集成电路工艺里的“加”“减”“乘”“除”75

第2篇  集成电路工艺中的“加法”
第5章　氧化78
5.1　二氧化硅的结构与性质78
5.1.1　二氧化硅的结构78
5.1.2　二氧化硅的物理性质79
5.1.3　二氧化硅的化学性质80
5.2　氧化工艺81
5.2.1　氧化生长机制81
5.2.2　干氧氧化82
5.2.3　水汽氧化84
5.2.4　湿氧氧化86
5.2.5　影响氧化速率的因素86
5.3　二氧化硅的应用87
5.3.1　器件保护与表面钝化87
5.3.2　器件隔离87
5.3.3　栅氧电介质89
5.3.4　掺杂阻挡89
5.3.5　金属层间介质层90
5.3.6　氧化硅的其他应用90
5.3.7　氧化硅的应用总结91
5.4　氧化设备92
5.4.1　卧式炉92
5.4.2　立式炉93
5.4.3　快速热处理（RTP）设备94
5.5　氧化质量检查及故障排除96
5.5.1　氧化质量检查96
5.5.2　氧化故障排除98

第6章　化学气相淀积99
6.1　薄膜淀积概述99
6.2　化学气相淀积工艺102
6.2.1　CVD工艺概述102
6.2.2　CVD淀积系统104
6.2.3　APCVD105
6.2.4　LPCVD107
6.2.5　PECVD110
6.2.6　HDPCVD111
6.2.7　CVD过程中的掺杂112
6.3　介质及其性能113
6.3.1　介电常数k113
6.3.2　低k材料114
6.3.3　超低k材料115
6.3.4　高k材料116
6.4　外延118
6.4.1　外延概述118
6.4.2　气相外延（VPE）119
6.4.3　分子束外延（MBE）120
6.4.4　金属有机CVD（MOCVD）120
6.5　CVD薄膜质量影响因素及故障排除121
6.5.1　CVD薄膜质量影响因素121
6.5.2　CVD故障检查及排除121
6.5.3　颗粒清除122

第7章　物理法沉积薄膜124
7.1　集成电路工艺中的金属124
7.1.1　铝125
7.1.2　铝铜合金126
7.1.3　铜127
7.1.4　硅化物128
7.1.5　金属填充塞129
7.1.6　阻挡层金属129
7.2　金属淀积工艺130
7.2.1　蒸发130
7.2.2　溅射131
7.2.3　金属CVD134
7.2.4　铜电镀134
7.3　旋涂135
7.4　铝互连工艺流程135
7.5　铜互连工艺流程136
7.5.1　单大马士革工艺136
7.5.2　双大马士革工艺138
7.6　金属薄膜的质量检查及故障排除138

第8章　扩散139
8.1　扩散原理 139
8.2　扩散工艺步骤142
8.3　扩散应用145

第9章　离子注入146
9.1　离子注入工艺146
9.2　离子注入机148
9.3　离子注入中的沟道效应149
9.4　离子注入的应用150
9.5　离子注入后的质量测量152
9.6　离子注入中的安全问题154

第3篇  集成电路工艺中的“减法”
第10章　清洗硅片156
10.1　清洗目的156
10.2　清洗硅片的标准流程157
10.3　干法清洗工艺158
10.4　硅片清洗设备159

第11章　刻蚀160
11.1　刻蚀概述160
11.1.1　刻蚀原理160
11.1.2　刻蚀分类160
11.1.3　刻蚀参数162
11.2　湿法刻蚀164
11.3　干法刻蚀165
11.3.1　干法刻蚀概述165
11.3.2　二氧化硅的干法刻蚀167
11.3.3　多晶硅的干法刻蚀167
11.3.4　氮化硅的干法刻蚀169
11.3.5　金属的干法刻蚀169
11.3.6　光刻胶的干法刻蚀171
11.3.7　干法刻蚀终点检测171
11.4　刻蚀质量检查172

第12章　化学机械抛光173
12.1　平坦化概述173
12.2　传统平坦化工艺174
12.3　化学机械抛光175
12.3.1　CMP机理175
12.3.2　CMP优缺点177
12.3.3　CMP主要参数177
12.3.4　CMP设备组成178
12.3.5　CMP终点检测179
12.3.6　CMP后清洗180
12.4　CMP应用181

第4篇  集成电路工艺中的“乘法”
第13章　离子注入退火184
13.1　掺杂离子注入之后的退火184
13.2　离子注入制备SOI时的退火186
13.3　制备高k介质时的退火188
13.4　退火方式188

第14章　回流191
14.1　PSG回流191
14.2　BPSG回流192

第15章　制备合金195
15.1　制备多晶硅金属硅化物（polycide）195
15.2　制备自对准金属硅化物（salicide）196
15.2.1　制备Ti硅化物197
15.2.2　制备Co硅化物198
15.2.3　制备NiPt硅化物199
15.3　自对准硅化物阻挡层（SAB）技术199

第5篇  集成电路工艺中的“除法”
第16章　深紫外（DUV）光刻202
16.1　光刻概述202
16.1.1　光刻原理202
16.1.2　光刻参数204
16.1.3　光刻成本204
16.2　光刻工艺流程205
16.3　气相成底膜处理209
16.4　旋涂光刻胶210
16.4.1　光刻胶的组成210
16.4.2　光刻胶的特性211
16.4.3　对光刻胶的要求212
16.4.4　光刻胶的涂敷212
16.5　软烘213
16.6　对准曝光214
16.6.1　光刻光源214
16.6.2　曝光关键参数216
16.6.3　相移掩膜技术218
16.6.4　光学临近修正219
16.6.5　浸没式光刻技术220
16.7　曝光后烘焙220
16.8　显影222
16.9　坚膜烘焙223
16.10　图案检查224
16.11　光刻设备224
16.11.1　接触式光刻机225
16.11.2　接近式光刻机225
16.11.3　扫描投影光刻机226
16.11.4　分步重复光刻机226
16.11.5　步进扫描光刻机227
16.12　硬掩膜技术228
16.13　双重图案曝光与多重图案曝光技术229
16.14　光刻质量检查230
16.14.1　光刻胶质量检查230
16.14.2　对准和曝光质量检查231
16.14.3　显影质量检查232
16.15　光刻安全234

第17章　极紫外（EUV）光刻235
17.1　EUV光刻原理235
17.2　EUV光刻优点236
17.3　EUV光刻面临的挑战237
17.4　EUV光刻设备239
17.5　EUV光刻技术展望241

第18章　纳米压印——下一代光刻技术243
18.1　纳米压印技术的原理243
18.2　纳米压印技术的发展245
18.3　纳米压印技术的应用249
18.4　纳米压印设备250

第19章　其他光刻技术252
19.1　电子束光刻技术252
19.2　离子束光刻技术253
19.3　X射线光刻技术254
19.4　定向自组装技术255

第6篇  未来的集成电路工艺
第20章　集成电路工艺发展趋势258
20.1　未来集成电路的应用领域258
20.2　未来的集成电路工艺发展趋势258

第21章　集成电路产业中的“卡脖子”问题264
21.1　集成电路制造领域264
21.2　集成电路设计领域265

附录267

参考文献272

内容摘要
无

主编推荐
本书内容围绕集成电路制造环节展开，将各个工序流程的关键工艺技术囊括其中，通过细致有趣的解读，使读者轻松了解集成电路是怎么来的。本书主要具有如下特色：
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