太阳能电池的硅晶体生长/21世纪新能源新型太阳能电池译丛普通图书/工程技术中岛一雄上海交通大学出版社 9787313190482

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作者: 中岛一雄
出版社: 上海交通大学出版社
ISBN: 9787313190482

出版时间: 2018-04
装帧: 其他
开本: 16开

作者: 中岛一雄
出版社: 上海交通大学出版社

ISBN: 9787313190482
出版时间: 2018-04

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工程技术

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作者简介
高扬，2002年上海交通大学应用物理学学士，2004年美国光学排名前5的University of Central Florida物理学硕士，导师为互联网光纤通讯用激光传输速度世界纪录保持者。回国工作12年，主要供职于美资重量光纤通讯器件公司和美资太阳能咨询公司等单位，对各种新型太阳能电池技术的发展都在实际工作中有深刻的理解，对太阳能多晶硅/硅片/电池/组件/逆变器/支架/储能的研发/生产/质量/设备/辅材也有较全面的认识。目前，独立经营太阳能咨询外贸公司，主要服务于欧美亚洲的企业客户，业绩良好。

目录
名词缩写表
参数符号表
第1章硅原料
  1.1 概论
    1.1.1 主要技术路线
    1.1.2 杂质
  1.2 冶金级硅
  1.3 西门子法
  1.4冶金法
    1.4.1 氧化去除硼
    1.4.1.1 铸桶提纯熔渣
    1.4.1.2 熔渣特性
    1.4.2 与水蒸气反应去除硼
    1.4.3 真空处理去除磷
    1.4.4 凝固提纯
    1.4.5 溶剂提纯
    1.4.6 浸出去除杂质
    1.4.7 电解／电化学纯化
    1.4.8 沉淀去除夹杂
    1.4.9 过滤去除夹杂
  参考文献
第2章切克劳斯基法
  2.1 概论
  2.2 热场设计
    2.2.1 功率和生长速率
    2.2.2 界面形状和热应力
    2.2.3 氩气消耗和石墨降解
    2.2.4 产额提升
  2.3 连续加料
    2.3.1 数次加料
    2.3.2 镀膜坩埚
    2.3.3 大尺寸和连续生长
  2.4 改善晶体质量
  2.5 小结
  参考文献
第3章区熔法
  3.1 概论
  3.2 原料棒
    3.2.1 西门子法和硅烷法
    3.2.2 切克劳斯基法
    3.2.3 颗粒状原料
  3.3 区熔法的掺杂
  3.4 技术限制
  3.5 二次区熔法
  3.6 区熔法的潜力
  3.7 小结
  参考文献
第4章定向凝固法
  4.1 概论
  4.2 控制结晶过程

内容摘要
中岛一雄、宇佐美德隆编的这本《太阳能电池的硅晶体生长》主要介绍了应用于太阳能电池的各类硅晶体生长机理、模拟、工艺及特性。本书首先论述了制备硅原料的)台金级硅方法、西门子法和冶金法，然后讨论了生产单晶硅棒的切克劳斯基法和区熔法、
生长多晶硅铸锭的定向凝固法、铸造单晶硅技术以及多晶硅铸锭的亚晶界问题，再论述了可以替代硅片的带硅和球形硅技术，解释了制备晶体硅薄膜太阳能电池的液相外延法、气相外延法、闪光灯退火、铝诱导
层交换，最后提供了制备太阳能级硅所需的热化学和动力学数据库。本书可以作为物理、材料、化学、光学、电子工程、动力与能源专业或其他相关专业的本科生、研究生和教师学习研究太阳能硅晶体生长技术的参考书。本书也可以作为太阳能研究机构科学家或太阳能企业工程师的参考资料，为研究、开发、生产各种硅晶体提供帮助。
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