成功加入购物车
图书条目标准图
图片显示多本勿拍,无赠品附件 默认有字迹划线,对品相有要求,请咨询后在下单
毕查德·拉扎维 著; 陈贵灿 译 / 西安交通大学出版社 / 2003-02 / 平装
售价 ¥ 43.50 6.7折
定价 ¥65.00
品相 八五品
优惠 满包邮
延迟发货说明
上书时间2024-02-29
卖家超过10天未登录
模拟CMOS集成电路设计
《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成,高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
作者简介中文版前言译者序序致谢第1章 模拟电路设计绪论1.1 研究模拟电路的重要性1.2 研究模拟集成电路的重要性1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性1.4 本书的特点1.5 电路设计的一般概念习题第2章 MOS器件物理基础2.1 基本概念2.2 MOS的I/V特性2.3 二级效应2.4 MOS器件模型习题第3章 单级放大器3.1 基本概念3.2 共源级3.3 源跟随器3.4 共栅级3.5 共源共栅级3.6 器件模型的选择习题第4章 差动放大器4.1 单端与差动的工作方式4.2 基本差动对4.3 共模响应4.4 MOS为负载的差动对4.5 吉尔伯特单元习题第5章 无源与有源电流镜5.1 基本电流镜5.2 共源共栅电源镜5.3 有源电流镜习题第6章 放大器的频率特性第7章 噪声第8章 反馈第9章 运算放大器第10章 稳定性与频率补偿第11章 带隙基准第12章 开关电容电路第13章 非线性与不匹配第14章 振荡器第15章 锁相环第16章 短沟道效应与器件模型第17章 CMOS工艺技术第18章 版图与封装英汉词汇对照
展开全部
配送说明
...
相似商品
为你推荐
开播时间:09月02日 10:30