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余岳辉 、 梁琳 著 / 机械工业出版社 / 2010-06 / 平装
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脉冲功率器件及其应用
脉冲功率技术近年来发展迅速,在军事和工业的众多领域都有着广泛的应用前景。脉冲功率开关是脉冲功率系统的核心器件之一,由于半导体器件具有体积小、寿命长、可靠性高等优点,脉冲功率开关目前有半导体化的趋势。《脉冲功率器件及其应用》首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述,然后分别论述了电流控制型器件(具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管)和电压控制型器件(具体包括功率MOSFET、IGBT。、SITH)的结构、工作原理、特性参数及其在脉冲功率系统中的应用,特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关(包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管和光电导开关)的机理模型和实际运用等问题,最后论述了脉冲功率应用的相关问题。
《脉冲功率器件及其应用》可供电力电子技术、微电子技术以及脉冲功率技术等领域的研究生和工程技术人员参考。
电力电子新技术系列图书序言前言第1章概论1.1脉冲功率技术的产生背景及应用1.2脉冲功率系统简介1.2.1脉冲功率技术1.2.2脉冲功率系统的组成与分类1.3常用的传统脉冲功率开关1.3.1触发真空开关(LVS)1.3.2伪火花开关(IXSS)1.3.3断路开关1.4半导体器件在脉冲功率技术中的应用参考文献第2章电流控制型脉冲功率器件2.1门极关断(GTO)晶闸管2.1.1GTO的发展2.1.2GTO的结构2.1.3GTO的工作原理2.1.4GTO的特性优化2.1.5GT0的驱动电路和吸收电路2.1.6GTO的功耗2.2门极换流晶闸管(12CT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)2.2.1GCT的发展2.2.2GCT的结构和特点2.2.3IGCT的工作原理和开关波形2.2.4IGCT的驱动电路和开关特性2.2.5IGCT的特性改进2.3非对称晶闸管2.3.1非对称晶闸管概述2.3.2非对称晶闸管的断态电压2.3.3非对称晶闸管的最小长基区宽度W(min)2.4电流控制型器件在脉冲功率系统中的应用参考文献第3章电压控制型脉冲功率器件3.1功率场效应晶体管(PowerMOSF。ET、3.1.1功率MOSFERT的基本原理及分类3.1.2功率MOSFET的基本结构3.1.3功率MOSFET的特性和主要电学参数3.1.4新型结构的功率MOSFET——“超结3.1.5功率MOSFET的栅极驱动3.1.6功率MOSFET在脉冲功率系统中的应用3.1.6.1功率MOSFET在高压脉冲调制器中的应用3.1.6.2功率MOSFET在兆赫兹脉冲功率发生器中的应用3.1.6.3利用MOSFET的高电压固态加法脉冲发生器的模拟幅度调制3.1.6.4为细菌转化提供的基于MOSFET的脉冲电源3.1.6.5与脉冲变压器串联的由功率MOSFET转换的20kV/500A/l00ns脉冲发生器3.1.6.6基于MOSFET的简单高电压纳秒级脉冲电路3.2绝缘栅双极型晶体管(IGBT)3.2.1概述3.2.2IGBT的结构和工作原理3.2.3IGBT的基本特性3.2.4IGBT的栅极驱动和保护3.2.5五代IGBT。及第五代IGBT的3种新技术3.2.6IGBT的发展3.2.7IGBT在脉冲功率系统中的应用3.2.7.1改进的Marx发生器3.2.7.2串联谐振充电电源3.2.7.3IGBT在脉冲变压器驱动源中的应用3.2.7.4IGBT的串联3.3静电感应晶闸管(SITH)3.3.1SITH的基础理论知识3.3.1.1器件结构3.3.1.2基本工作原理3.3.2静态特性3.3.2.1正向开通特性3.3.2.2正向阻断特性3.3.2.3电压增益3.3.3动态特性3.3.3.1开通时间t和关断时间t3.3.3.2du/dt3.3.3.3di/dt3.3.4驱动电路和损耗3.3.4.1驱动电路3.3.4.2损耗3.3.5SHTH在脉冲功率系统中的应用3.3.5.1变压变频逆变器3.3.5.2高质量电源装置3.3.5.3脉冲功率发生器参考文献第4章新型半导体脉冲功率器件4.1反向开关晶体管(RSD)4.1.1国内外研究概况4.1.2RSD的工作机理4.1.2.1借助可控等离子层换流原理4.1.2.2RSD的结构和工作机理4.1.3RSD的换流特性4.1.3.1RSD开通与大电流特性4.1.3.2RSD的功率损耗特性4.1.3.3RSD的关断特性4.1.4.RSD的结构优化4.1.4.1薄发射极改善RSD开通特性4.1.4.2“薄基区一缓冲层一透明阳极”结构探索4.1.5RSD的关键工艺4.1.5.1基本工艺方案4.1.5.2阳极多元胞结构4.1.5.3阴极短路点的设计4.1.5.4新工艺技术研究4.1.5.5部分芯片测试记录4.1.6基于RSD的脉冲发生电路4.1.6.1基于RSD的脉冲放电系统主回路4.1.6.2120kA大功率脉冲发生电路的设计与实现4.1.6.3RSD在重复频率脉冲工况下的应用4.1.6.4大功率RSD多单元并联技术4.1.6.5高速长寿命化RSD芯片的级联4.2半导体断路开关(SOS)4.2.1SOS效应的发现4.2.2SOS模式的物理基础4.2.2.1SOS的基本工作原理4.2.2.2SOS效应模式下的电子空穴动力学4.2.3SOS二极管的特性及主要参数4.2.4基于SOS二极管的脉冲发生器4.2.4.1基于SOS的Marx发生器4.2.4.2基于SOS的纳秒重复脉冲发生器4.3漂移阶跃恢复二极管(DSRD)4.3.1DSRD工作原理4.3.1.1DSRD结构及电路原理4.3.1.2DSRD的超快速恢复原理4.3.1.3高压下DSRD的电流电压特性4.3.2薄DSRD的结构及新材料的应用4.3.3DSRD的应用4.3.3.1电光开关驱动控制4.3.3.2脉冲产生器4.4光电导开关(PCSS)4.4.1PCSS的基本结构与工作原理4.4.1.1器件结构4.4.1.2工作原理4.4.2PCSS的工作模式4.4.2.1线性工作模式4.4.2.2非线性工作模式4.4.2.3两种工作模式比较4.4.3PCSS中的衰减振荡4.4.4PCSS的击穿特性与寿命4.4.5PCSS的性能改进4.4.6PCSS的应用参考文献第5章脉冲功率应用技术5.1磁脉冲压缩技术5.1.1磁开关5.1.2磁脉冲压缩原理5.1.3磁脉冲压缩电路5.1.4磁开关设计5.2高电压大电流脉冲测量5.2.1大电流脉冲测量5.2.1.1分流器5.2.1.2罗氏线圈法5.2.1.3磁光式电流传感器5.2.2脉冲高压测量5.2.2.1电阻分压器5.2.2.2电容分压器5.2.2.3阻容分压器5.2.2.4微分积分测量系统5.3脉冲功率技术应用5.3.1脱硫脱硝处理5.3.1.1引言5.3.1.2实验装置5.3.1.3对同时脱硝脱硫处理的评价5.3.2气体激光器5.3.2.1TEAC02激光器5.3.2.2受激准分子激光器5.3.2.3其他脉冲放电激励气体激光器5.3.3x射线光源5.3.3.1x射线的种类和应用5.3.3.2z箍缩放电型软x射线源5.3.3.3光刻用的激光等离子x射线源5.3.3.4激光等离子x射线源用作x射线显微镜5.3.4紫外线光源5.3.4.1引言5.3.4.2表面放电型紫外线光源5.3.4.3箍缩型紫外线光源5.3.4.4其他脉冲紫外线光源5.3.5产生臭氧5.3.5.1引言5.3.5.2电晕放电的特征5.3.5.3电晕放电法的研究现状5.3.5.4今后的研究方向5.3.6工业废弃物处理5.3.6.1引言5.3.6.2放射性污染物质的处理5.3.6.3脉冲功率系统5.3.7二恶英处理5.3.8微生物杀菌5.3.8.1引言5.3.8.2脉冲电场对微生物的影响5.3.8.3脉冲电场杀菌的研究5.3.8.4杀菌效果和机理的相关讨论5.3.8.5今后的研究方向5.3.9水处理5.3.9.1引言5.3.9.2水中放电现象5.3.9.3水处理的应用5.3.9.4小结5.3.10岩石粉碎5.3.10.1引言5.3.10.2岩石内部的放电现象5.3.10.3破坏的特点5.3.10.4今后的研究方向5.3.11废弃混凝土的循环利用5.3.11.1引言5.3.11.2利用高压脉冲进行破碎分离实验5.3.12电磁加速5.3.12.1引言5.3.12.2电磁加速方法5.3.12.3电磁加速的研究和应用5.3.12.4电磁加速的研究现状5.3.12.5今后的研究方向5.3.13惯性核聚变5.3.13.1引言5.3.13.2关于惯性核聚变5.3.13.3放射线控制5.3.13.4Z箍缩实验5.3.13.5被照射目标设计5.3.13.6核聚变的实现5.3.14产生微波5.3.14.1引言5.3.14.2迟波电子回旋加速微波激射器和零磁场后进波振荡器的实验5.3.14.3小结5.3.15新材料的开发5.3.16离子注入5.3.16.1引言5.3.16.2金属离子注入原理5.3.16.3金属离子注入的特征5.3.16.4装置组成5.3.16.5电源5.3.17NO的生成5.3.17.1引言5.3.17.2医疗中NO的吸入疗法5.3.17.3实验装置和实验方法5.3.17.4实验结果参考文献
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开播时间:09月02日 10:30