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清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列：半导体集成电路（第2版）

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朱正涌著 / 清华大学出版社 / 2009-04 / 平装

售价 30.00 6.0折

定价￥49.80

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上书时间2024-05-17

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图书 > 教材教辅考试 > 教材 > 大学教材 > 语言文字
清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列：半导体集成电路（第2版）
作者: 朱正涌著

出版社: 清华大学出版社

出版时间: 2009-04

版次: 2

ISBN: 9787302185123

定价: 49.80

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 501页

字数: 709千字

正文语种: 简体中文
内容简介：

　　本书全面介绍了半导体集成电路的分析与设计方法。全书共分为4个部分，第1部分（第1～3章）介绍了集成电路的典型工艺、集成电路中元器件的结构、特性及寄生效应；第2部分（第4～11章）为数字集成电路，讨论了常用的双极和MOS集成电路的电路结构、工作原理和版图形式；第3部分（第12～16章）为模拟集成电路，介绍了模拟集成电路中的基本单元电路及常用的模拟集成电路，如集成运算放大器、集成稳压电源电路及开关电容电路、A/D、D/A变换电路等；第4部分（第17～22章）为集成电路设计，举例介绍了集成电路的设计方法和集成电路的计算机辅助设计，其中重点论述了集成电路的版图设计以及集成电路的可靠性设计和可测性设计。每章后面都附有习题。
　　本书可作为高等院校微电子学和电子科学与技术专业本科生的教材，也可供有关专业的本科生、研究生以及工程技术人员阅读参考。

目录：

第1章集成电路的基本制造工艺
1.1双极集成电路的基本制造工艺
1.1.1典型的双极集成电路工艺
1.1.2双极集成电路中元件的形成过程和元件结构
1.2MOS集成电路的基本制造下艺
l.2.1N沟道硅栅E／DMOS集成电路制造工艺
1.2.2CMOS集成电路制造工艺
1.3Bi－CMOS制造丁艺
1.3.1以CMOS丁艺为基础的Bi－CMOS制造工艺
1.3.2以双极下艺为基础的Bi－CMOS制造丁艺
复习思考题

第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应
2.1理想本征集成双极晶体管的埃伯斯一莫尔(EM)模型
2.2集成双极晶体管的有源寄生效应
2.2.1NPN管丁作于正向下作区和截止区的情况
2.2.2NPN管工作于反向下作区的情况
2.2.3NPN管工作于饱和区的情况
2.3集成双极晶体管的无源寄生效应
2.3.1集成NPN晶体管中的寄生电阻
2.3.2集成NPN晶体管中的寄生电容
2.4集成电路中的PNP管
2.4.1横向PNP管
2.4.2衬底PNP管
2.4.3自由集电极纵向PNP管
2.5集成二极管
2.5.1一般集成二极管
2.5.2集成齐纳二极管和次表面齐纳管
2.6肖特基势垒二极管(SBI))和肖特基钳位晶体管(SCT)
2.6.1肖特基势垒二极管
2.6.2肖特基钳位晶体管
2.6.3SBD和SCT的设计
2.7MOS集成电路中的有源寄生效应
2.7.1场区寄生MOSFET
2.7.2寄生双极型晶体管
2.7.3寄生PNPN效应
2.8集成电路中的MOS晶体管模型
2.8.1MOS1模型
2.8.2MOS2模型
2.8.3MOS3模型
复习思考题

第3章集成电路中的无源元件
3.1集成电阻器
3.1.1基区扩散电阻
3.1.2其他常用的集成电阻器
3.1.3MOS集成电路中常用的电阻
3.2集成电容器
3.2.l双极集成电路中常用的集成电容器
3.2.2MOS集成电路中常用的MOS电容器
3.3互连(内连线)
3.3.1铝连线
3.3.2扩散区连线
3.3.3多晶硅连线
3.3.4铜连线
3.3.5交叉连线
复习思考题

第4章晶体管一晶体管逻辑(TTL)电路
4.1一般的TTL与非门
4.1.1标准TTL与非门(四管单元)
4.1.254H／74H五管单元与非门
4.1.3六管单元与非门
4.2STTL和LSTTL电路
4.2.1六管单元LSTTL与非门电路
4.2.2低功耗肖特基TTL(LSTTL)电路
4.31LSTTL门电路的逻辑扩展
4.3.1OC门
4.3.2三态逻辑(TSL)门
4.4ASTTL和ALSTTL电路
4.5中、大规模集成电路中的简化逻辑门
4.5.1简化逻辑门
4.5.2单管逻辑门
4.6LSTTL电路的版图设计
复习思考题.

第5章发射极耦合逻辑(ECL)电路
5.1ECL门电路的下作原理
5.1.1射极耦合电流开关
5.1.2射极输出器
5.1.3参考电压源
5.2ECL电路的版图设计特点
5.2.1划分隔离区
5.2.2元器件的设计
5.2.3布局布线
复习思考题

第6章集成注入逻辑(I2L)电路
6.1I2L电路基本单元的结构
6.2I2I.基本单元电路的丁作原理
6.2.1当前级的输出为1态时的情况
6.2.2当前级的输出为0态时的情况
6.3I2L电路的工艺与版图设计
6，3.1I2L电路的下艺设计
6.3.2I2L电路的版图设计
复习思考题

第7章MOS反相器
7.1自举反相器
7.2耗尽负载反相器(E／D反相器)
7.3CMOS反相器
7.3.1CMC)S反相器的直流特性
7.3.2噪声容限
7.3.3开关特性
7.3.4功耗
7.4静态内部反相器的设计
7.4.1有比反相器的设计
7.4.2CMoS反相器的设计
7.5动态反相器
7.5.1动态有比反相器
7.5.2动态无比反相器
7.5.3漏举电路
7.6按比例缩小理论
7.6.1器件和引线按CE理论缩小的规则
7.6.2按比例缩小的CV理论
7.6.3按比例缩小的QCV理论
复习思考题

第8章MOS基本逻辑单元
8.1NMOS逻辑结构
8.1.1NMOS或非门电路
8.1.2NMOS与非门电路
8.1.3NMOS组合逻辑电路
8.2CMOS逻辑结构
8.2.1CMOS互补逻辑
8.2.2伪AIMOS逻辑
8.2.3动态CMOS逻辑
8.2.4钟控CMOS逻辑
8.2.5CMOS多米诺逻辑
8.3级联级的负载
8.4影响门的电气和物理结构设计的因素
8.4.1MOS管的串联和并联
……
第9章MOS逻辑功能部件
第10章存储器
第11章接口电路
第12章模拟集成电路中的基本单元电路
第13章集成运算放大器
第14章MOS模拟开关及开关电容电器
第15章集成稳压器
第16章D/A，A/D变换器
第17章集成电路的正向设计
第18章集成电路的芯片解剖
第20章集成电路设计方法
第21章集成电路的可靠性设计和可测性设计简介
第22章集成电路的计算机设计简介
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