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施尔畏 著 / 科学出版社 / 2012-05 / 精装
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碳化硅晶体生长与缺陷
《碳化硅晶体生长与缺陷》系统地介绍了物理气相输运(PVT)法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作,由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。《碳化硅晶体生长与缺陷》从碳化硅晶体结构出发,把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量/能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线,从而使读者对PVT法碳化硅晶体生长的复杂系统和过程有一个全面的、深入的认识和理解。
《碳化硅晶体生长与缺陷》可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考,亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读。
前言1碳化硅晶体的多型结构与表征1.1晶体的多型1.2碳化硅晶体的结构层与基本结构单元1.3碳化硅晶体多型的共生与连生1.43C-SiC多型的结构1.52H-SiC多型的结构1.64H-SiC多型的结构1.76H-SiC多型的结构1.815R-SiC多型的结构1.9碳化硅晶体多型结构参数的变化1.10碳化硅晶体多型结构鉴别概述1.11X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构1.12高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构1.13吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构1.14拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构符号说明和注解2碳化硅晶体的物理气相输运(PVT)法生长2.1硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图2.2固态碳化硅分解升华的热力学研究2.3PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程2.4PVT法碳化硅晶体生长系统概述2.5PVT法碳化硅晶体生长模型研究2.6PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量2.7PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合2.8生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变2.9石墨坩埚生长腔内温度场的演变符号说明和注解3气相组分和碳化硅晶体的生长机制3.1气相组分概述3.2PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制3.3气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位3.4纯硅气相组分Sim的稳定构型与能量3.5纯碳气相组分Cn的稳定构型与能量3.6硅碳气相组分SimCn的稳定构型与能量3.7气相组分SimCn构型的转变3.8气相组分SimCn的化学序3.9气相组分SimCn的相互作用3.10气相组分SimCn在生长界面上的结晶符号说明和注解4碳化硅晶体的结晶缺陷4.1碳化硅晶体结晶缺陷概述4.2碳化硅晶片结晶质量的整体评价4.3碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价4.4多型共生缺陷4.5镶嵌结构缺陷4.6堆垛层错4.7孔道与微管道符号说明和注解后记
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开播时间:09月02日 10:30