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吕红亮 著 / 电子工业出版社 / 2009-05 / 平装
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研究生教育书系·电子科学与技术学科:化合物半导体器件
本书介绍了化合物半导体物理的基础知识和原理。全书共8章,主要内容为:半导体器件物理的基础内容、化合物半导体材料及其基本电学特性;化合物半导体器件的种类及其特性,包括双极型器件、异质结器件、场效应器件、量子效应、热电子器件和光电子器件;宽禁带半导体材料与器件。
本书可作为高等学校微电子学,集成电路设计及相关专业研究生和本科高年级学生化合物半导体材料和器件课程的教材;也可作为从事化合物半导体材料或器件分析的科研和工程技术人员的参考。
第1章绪论1.1历史和动态1.2内容安排和说明参考文献第2章化合物半导体材料与器件基础2.1半导体材料的分类2.1.1元素半导体2.1.2化合物半导体2.1.3半导体固溶体2.2化合物半导体材料特性2.2.1晶格结构2.2.2晶体的化学键和极化2.2.3能带结构2.2.4施主和受主能级2.2.5迁移率2.3化合物半导体器件的发展方向思考题参考文献第3章半导体异质结3.1异质结及其能带图3.1.1异质结的形成3.1.2异质结的能带图3.2异型异质结的电学特性3.2.1突变异质结的伏安特性和注入特性3.2.2界面态的影响3.2.3异质结的超注入现象3.3量子阱与二维电子气3.3.1二维电子气的形成及能态3.3.2二维电子气的态密度3.4多量子阱与超晶格思考题参考文献第4章异质结双极晶体管4.1HBT的基本结构4.1.1基本的HBT结构4.1.2突变结和组分渐变异质结4.2HBT的增益4.2.1理想HBT的增益4.2.2考虑界面复合后HBT的增益4.2.3HBT增益与温度的关系4.3HBT的频率特性4.3.1最大振荡频率4.3.2开关时间4.3.3宽带隙集电区4.4先进的HBT4.4.1SiSiGeHBT4.4.2ⅢⅤ族化合物基HBT思考题参考文献第5章化合物半导体场效应晶体管5.1金属半导体肖特基接触5.1.1能带结构5.1.2基本模型5.2金属半导体场效应晶体管(MESFET)5.2.1MESFET器件结构5.2.2工作原理5.2.3电流—电压特性5.2.4负阻效应与高场畴5.2.5高频特性5.2.6噪声理论5.2.7功率特性5.3调制掺杂场效应晶体管5.3.1调制掺杂结构5.3.2基本原理5.3.3电流—电压特性思考题参考文献第6章量子器件与热电子器件6.1隧道二极管6.1.1穿透系数6.1.2电流—电压特性6.2共振隧道二极管(ResonantTunnelingDiode,RTD)6.2.1谐振隧穿结构6.2.2谐振隧道二极管电流—电压特性6.3热电子器件6.3.1热电子异质结双极晶体管6.3.2实空间转移晶体管(realspacetransfertransistor)006.3.3隧穿热电子晶体管思考题参考文献第7章半导体光电子器件7.1半导体的光学性质7.1.1光的本质7.1.2辐射跃迁7.1.3光的吸收7.1.4光伏效应7.2太阳能电池7.2.1pn结光电池的电流—电压特性7.2.2pn结光电池的等效电路7.2.3转换效率7.2.4砷化镓太阳能电池7.2.5ⅡⅥ族化合物太阳能电池7.2.6铜铟硒太阳能电池7.3光电探测器件7.3.1光敏电阻7.3.2光电二极管7.4发光二极管和半导体激光器7.4.1可见光发光二极管7.4.2红外发光二极管7.4.3半导体激光器思考题参考文献第8章宽带隙化合物半导体器件8.1宽带隙半导体材料基本特性8.2碳化硅器件及其应用8.2.1碳化硅微波功率器件8.2.2碳化硅功率器件8.2.3碳化硅探测器件8.3GaN器件及其应用8.3.1GaN微波功率器件8.3.2GaN基光电器件8.3.3其他GaN基电子器件8.4其他宽禁带半导体器件8.4.1单光子器件8.4.2宽禁带半导体纳米结构器件8.4.3基于GaN的子带间跃迁光开关8.4.4氮化物光催化剂思考题参考文献
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开播时间:09月02日 10:30