芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书，在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段：从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例，并辅以小结和习题，以及丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展，讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术，

使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容，并加入了半导体业界的新成果，可以使读者了解工艺技术发展的趋势。

[美]Peter Van Zant(彼得·范·赞特 / 电子工业出版社 / 2020-12 / 其他

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芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）
作者: [美] Peter Van Zant(彼得·范·赞特

出版社: 电子工业出版社

出版时间: 2020-12

版次: 6

ISBN: 9787121399831

定价: 89.00

装帧: 其他

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 384页

字数: 615千字
内容简介：

本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书，在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段：从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例，并辅以小结和习题，以及丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展，讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术，使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容，并加入了半导体业界的新成果，可以使读者了解工艺技术发展的趋势。

作者简介：

Peter Van Zant 国际知名半导体专家，具有广阔的工艺工程、培训、咨询和写作方面的背景，他曾先后在IBM和德州仪器（TI）工作，之后再硅谷，又先后在美国国家半导体（National Semiconductor）和单片存储器（Monolithic Memories）公司任晶圆制造工艺工程和管理职位。他还曾在加利福尼亚州洛杉矶的山麓学院（Foothill College）任讲师，讲授半导体课程和针对初始工艺工程师的高级课程。他是《半导体技术词汇》（第三版）（Semiconductor Technology Glossary, Third Edition）、《集成电路教程》（Integrated Circuits Text）、《安全第一手册》（Safety First Manual）和《芯片封装手册》（Chip Packaging Manual）的作者。他的书和培训教程被多家芯片制造商、产业供货商、学院和大学所采用。韩郑生，男，中科院微电子研究所研究员/教授，博士生导师，研究方向为微电子学与固体电子学，从事集成电路工艺技术、电路设计方面的工作，曾任高级工程师，光刻工艺负责人，研究室副主任兼任测试工艺负责人，硅工程中心产品部主任，项目/课题负责人。国家特殊津贴获得者。国家自然基金面上项目评审专家。

目录：

目录

第1章半导体产业

1.1引言

1.2一个产业的诞生

1.3固态时代

1.4集成电路

1.5工艺和产品趋势

1.6半导体产业的构成

1.7生产阶段

1.8微芯片制造过程发展的

60年

1.9纳米时代

习题

参考文献第2章半导体材料和化学品的特性

2.1引言

2.2原子结构

2.3元素周期表

2.4电传导

2.5绝缘体和电容器

2.6本征半导体

2.7掺杂半导体

2.8电子和空穴传导

2.9半导体生产材料

2.10半导体化合物

2.11锗化硅

2.12衬底工程

2.13铁电材料

2.14金刚石半导体

2.15工艺化学品

2.16物质的状态

2.17物质的性质

2.18压力和真空

2.19酸、碱和溶剂

2.20化学纯化和清洗

习题

参考文献第3章晶体生长与硅晶圆制备

3.1引言

3.2半导体硅制备

3.3晶体材料

3.4晶体定向

3.5晶体生长

3.6晶体和晶圆质量

3.7晶圆制备

3.8切片

3.9晶圆刻号

3.10磨片

3.11化学机械抛光

3.12背面处理

3.13双面抛光

3.14边缘倒角和抛光

3.15晶圆评估

3.16氧化

3.17包装

3.18工程化晶圆（衬底）

习题

参考文献第4章晶圆制造和封装概述

4.1引言

4.2晶圆生产的目标

4.3晶圆术语

4.4芯片术语

4.5晶圆生产的基础工艺

4.6薄膜工艺

4.7晶圆制造实例

4.8晶圆中测

4.9集成电路的封装

4.10小结

习题

参考文献第5章污染控制

5.1引言

5.2污染源

5.3净化间的建设

5.4净化间的物质与供给

5.5净化间的维护

5.6晶圆表面清洗

习题

参考文献第6章生产能力和工艺良品率

6.1引言

6.2良品率测量点

6.3累积晶圆生产良品率

6.4晶圆生产良品率的制约因素

6.5封装和最终测试良品率

6.6整体工艺良品率

习题

参考文献第7章氧化

7.1引言

7.2二氧化硅层的用途

7.3热氧化机制

7.4氧化工艺

7.5氧化后评估

习题

参考文献第8章十步图形化工艺流程——从表面

制备到曝光

8.1引言

8.2光刻工艺概述

8.3光刻十步法工艺过程

8.4基本的光刻胶化学

8.5光刻胶性能的要素

8.6光刻胶的物理属性

8.7光刻工艺：从表面制备到

曝光

8.8表面制备

8.9涂光刻胶（旋转式）

8.10软烘焙

8.11对准和曝光

8.12先进的光刻

习题

参考文献第9章十步图形化工艺流程——从显影

到最终检验

9.1引言

9.2硬烘焙

9.3刻蚀

9.4湿法刻蚀

9.5干法刻蚀

9.6干法刻蚀中光刻胶的影响

9.7光刻胶的去除

9.8去胶的新挑战

9.9最终目检

9.10掩模版的制作

9.11小结

习题

参考文献第10章下一代光刻技术

10.1引言

10.2下一代光刻工艺的挑战

10.3其他曝光问题

10.4其他解决方案及其挑战

10.5晶圆表面问题

10.6防反射涂层

10.7高级光刻胶工艺

10.8改进刻蚀工艺

10.9自对准结构

10.10刻蚀轮廓控制

习题

参考文献第11章掺杂

11.1引言

11.2扩散的概念

11.3扩散形成的掺杂区和结

11.4扩散工艺的步骤

11.5淀积

11.6推进氧化

11.7离子注入简介

11.8离子注入的概念

11.9离子注入系统

11.10离子注入区域的杂质

浓度

11.11离子注入层的评估

11.12离子注入的应用

11.13掺杂前景展望

习题

参考文献第12章薄膜淀积

12.1引言

12.2化学气相淀积基础

12.3CVD的工艺步骤

12.4CVD系统分类

12.5常压CVD系统

12.6低压化学气相淀积

（LPCVD）

12.7原子层淀积

12.8气相外延

12.9分子束外延

12.10金属有机物CVD

12.11淀积膜

12.12淀积的半导体膜

12.13外延硅

12.14多晶硅和非晶硅淀积

12.15SOS和SOI

12.16在硅上生长砷化镓

12.17绝缘体和绝缘介质

12.18导体

习题

参考文献第13章金属化

13.1引言

13.2淀积方法

13.3单层金属

13.4多层金属设计

13.5导体材料

13.6金属塞

13.7溅射淀积

13.8电化学镀膜

13.9化学机械工艺

13.10CVD金属淀积

13.11金属薄膜的用途

13.12真空系统

习题

参考文献第14章工艺和器件的评估

14.1引言

14.2晶圆的电特性测量

14.3工艺和器件评估方法

14.4物理测试方法

14.5层厚的测量

14.6栅氧化层完整性电学

测量

14.7结深

14.8污染物和缺陷检测

14.9总体表面特征

14.10污染认定

14.11器件电学测量

习题

参考文献第15章晶圆制造中的商业因素

15.1引言

15.2晶圆制造的成本

15.3自动化

15.4工厂层次的自动化

15.5设备标准

15.6统计制程控制

15.7库存控制

15.8质量控制和ISO 9000认证

15.9生产线组织架构

习题

参考文献第16章器件和集成电路组成的

介绍

16.1引言

16.2半导体器件的形成

16.3MOSFET按比例缩小带来

的挑战的替代方案

16.4集成电路的形成

16.5BiMOS

16.6超导体

习题

参考文献第17章集成电路简介

17.1引言

17.2电路基础

17.3集成电路的类型

17.4下一代产品

习题

参考文献第18章封装

18.1引言

18.2芯片的特性

18.3封装功能和设计

18.4引线键合工艺

18.5凸点或焊球工艺示例

18.6封装设计

18.7封装类型和技术小结

习题

参考文献

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