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杨之廉 编 / 清华大学出版社 / 2003-03 / 平装
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清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列:集成电路导论
《清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列:集成电路导论》在简述集成电路的诞生、发展和未来后,首先介绍了半导体特性与晶体管工作原理,集成电路芯片制造技术的基本概念和步骤;然后重点讨论了基本门电路、存储器、微处理器、专用集成电路和可编程集成电路;最后介绍了芯片的设计流程、有关的设计工具以及集成电路的测试和封装。
《清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列:集成电路导论》说理清楚,内容深入浅出,与实际联系紧密,易于自学。可作为大专院校微电子学和半导体专业学生的概论课教材,也可作为各类理工科专业和部分文商科专业本科生的普及性教材,还可作为各类高级技术和管理人士学习集成电路知识的入门参考书。
第1章绪论1.1什么是集成电路和微电子学1.2集成电路的诞生1.3集成电路的发展1.3.1应用的驱动1.3.2集成度的提高1.3.3摩尔定律1.3.4专用集成电路和专用标准产品1.3.5集成电路分类1.4集成电路的未来1.5微电子技术与其他学科相结合第2章半导体基本特性与晶体管工作原理2.1半导体的特性2.1.1什么是半导体2.1.2能级与能带2.1.3电子与空穴2.1.4N型半导体和P型半导体2.2PN结2.2.1平衡状态下的PN结2.2.2正向状态下的PN结2.2.3反向状态下的PN结2.2.4PN结电容(空间电荷区电容)2.3二极管2.3.1二极管的电流与电压特性2.3.2二极管工作时管内少数载流子的分布情况2.3.3扩散电容2.4双极型晶体管2.4.1双极型晶体管的基本结构2.4.2共基极接地方式2.4.3共发射极接地方式2.4.4三极管的简化大信号模型2.4.5三极管的小信号放大效应2.5金属—氧化物—半导体(MOS)场效应晶体管2.5.1MOS场效应晶体管的基本结构2.5.2反型层的形成与阈值电压2.5.3MOS管中的电流与电压关系2.5.4衬底偏置调制效应2.5.5MOS管的简单模型2.5.6MOS管的几种类型第3章集成电路中的器件结构3.1电学隔离的必要性和方法3.2二极管的结构3.3双极型晶体管的结构3.4MOS场效应晶体管的结构3.4.1场氧化层的作用3.4.2CMOS电路的结构3.5电阻的结构3.6电容的结构3.7接触孔、通孔和互连线第4章集成电路芯片制造技术4.1工艺制造中的核心步骤4.2窗口、图形的确定与掩模版的作用4.3各主要工艺技术4.3.1热氧化4.3.2热扩散掺杂4.3.3快速热处理4.3.4离子注入4.3.5化学气相淀积4.3.6光刻4.3.7刻蚀4.3.8选择性氧化4.3.9金属化4.4CMOS电路制造的主要工艺流程4.5缺陷与成品率第5章基本的门电路第6章存储器类集成电路第7章微处理器第8章专用集成电路和可编程集成电路第9章设计流程和设计工具第10章集成电路的测试与封装参考文献
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开播时间:09月02日 10:30