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余宁梅 、 杨媛 著 / 科学出版社 / 2011-08 / 平装
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国家级精品课程主干教材:半导体集成电路
《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》在简述了集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后,首先介绍了半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理;然后重点讨论了数字集成电路中的组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件;最后介绍了模拟集成电路中的关键电路和数一模、模一数转换电路。《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》内容系统全面,与实际紧密结合。叙述深人浅出,易于自学。为了方便教师授课,全书配有课件。《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》可作为大专院校电子科学与技术和半导体专业的专业课教材,也可作为相关领域研究生和工程技术人员的参考书。
丛书序序前言第1章绪论1.1半导体集成电路的概念1.1.1半导体集成电路的基本概念1.1.2半导体集成电路的分类1.2半导体集成电路的发展过程1.3半导体集成电路的发展规律1.4半导体集成电路面临的问题1.4.1深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战1.4.2深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战1.4.3深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战技术展望:摩尔定律的扩展习题第2章双极集成电路中的元件形成及其寄生效应2.1双极集成电路的制造工艺2.1.1双极型晶体管的单管结构和工作原理2.1.2双极集成晶体管的结构与制造工艺2.2理想本征双极晶体管的埃伯斯一莫尔(EM)模型2.2.1一结两层二极管(单结晶体管)的EM模型2.2.2两结三层三极管(双结晶体管)的EM模型2.2.3三结四层三极管(多结晶体管)的EM模型2.3集成双极晶体管的有源寄生效应2.3.1npn管工作于正向工作区和截止区的情况2.3.2npn管工作于反向工作区的情况2.3.3npn管工作于饱和区的情况2.3.4降低寄生pnp管的方法技术展望:SiGe异质结双极晶体管习题第3章MOS集成电路中的元件形成及其寄生效应3.1MOSFET晶体管的制造工艺3.1.1MOSFET晶体管器件结构与工作原理3.1.2MOSFET的制造工艺3.2CMOS集成电路的制造工艺3.2.1p阱CMOS工艺3.2.2n阱CMOS工艺3.2.3双阱CMOS工艺3.3Bi-CMOS集成电路的制造工艺3.3.1以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺3.3.2以双极型工艺为基础的Bi-CMOS工艺3.4MOS集成电路中的有源寄生效应3.4.1场区寄生MOSFET3.4.2寄生双极型晶体管3.4.3CMOS集成电路中的闩锁效应技术展望:绝缘体上硅(SOI)技术习题第4章集成电路中的无源元件4.1集成电阻器4.1.1双极集成电路中的常用电阻4.1.2MOS集成电路中常用的电阻4.2集成电容器4.2.1双极集成电路中常用的集成电容器4.2.2MOS集成电路中常用的电容器4.3互连线4.3.1多晶硅互连线4.3.2扩散层连线4.3.3金属互连线技术展望:铁电电容器习题第5章MOS晶体管基本原理与MOS反相器电路5.1MOS晶体管的电学特性5.1.1MOS晶体管基本电流方程的导出5.1.2MOS晶体管I-V特性5.1.3MOS晶体管的阈值电压和导电特性5.1.4MOS晶体管的衬底偏压效应5.1.5MOS晶体管的二级效应5.1.6MOS晶体管的电容5.2MOS反相器5.2.1反相器的基本概念5.2.2E/R型nMOS反相器(电阻负载型MOS反相器)5.2.3E/E型nMOS反相器(增强型nMOS负载反相器)5.2.4E/D型nMOS反相器(耗尽型nMOS负载反相器)5.2.5CMOS反相器技术展望:3D晶体管习题第6章CMOS静态门电路6.1基本CMOS静态门6.1.1CMOS与非门6.1.2CMOS或非门6.2CMOS复合逻辑门6.2.1异或门6.2.2其他复合逻辑门6.3MOS管的串并联特性6.3.1晶体管串联的情况6.3.2晶体管并联的情况6.3.3晶体管尺寸的设计6.4CMOS静态门电路的功耗6.4.1CMOS静态逻辑门电路功耗的组成6.4.2降低电路功耗的方法6.5CMOS静态门电路的延迟6.5.1延迟时间的估算方法6.5.2缓冲器最优化设计6.6功耗和延迟的折中技术展望:减少短脉冲干扰信号功耗习题第7章传输门逻辑和动态逻辑电路7.1基本的传输门7.1.1nMOS传输门7.1.2pMOS传输门7.1.3CMOS传输门7.2传输门逻辑电路7.2.1传输门逻辑电路举例7.2.2传输门逻辑的特点7.3基于二叉判决图BDD的传输门逻辑生成方法7.4基本动态CMOS逻辑电路7.4.1基本CMOS动态逻辑电路的工作原理7.4.2动态逻辑电路的优缺点7.5传输门隔离动态逻辑电路7.5.1传输门隔离动态逻辑电路工作原理7.5.2传输门隔离多级动态逻辑电路的时钟信号7.5.3多米诺逻辑7.6动态逻辑电路中存在的问题及解决方法7.6.1电荷泄漏7.6.2电荷共享7.6.3时钟馈通7.6.4体效应技术展望:如何选择逻辑类型习题第8章时序逻辑电路8.1电荷的存储机理8.1.1静态存储机理8.1.2动态存储机理8.2电平敏感锁存器8.2.1SR静态锁存器8.2.2时钟脉冲控制SR静态锁存器8.2.3CMOS静态逻辑结构D锁存器8.2.4基于传输门多选器的D锁存器8.2.5动态锁存器8.3边沿触发寄存器8.3.1寄存器的几个重要参数(建立时间、维持时间、传输时间)8.3.2CMOS静态主从结构寄存器8.3.3传输门多路开关型寄存器8.3.4C2MOS寄存器8.4其他类型寄存器8.4.1脉冲触发锁存器8.4.2灵敏放大器型寄存器8.4.3灵敏放大器型寄存器8.5带复位及使能信号的D寄存器8.5.1同步复位D寄存器8.5.2异步复位D寄存器8.5.3带使能信号的同步复位D寄存器8.6寄存器的应用及时序约束8.6.1计数器8.6.2时序电路的时序约束技术展望:异步数字系统习题第9章MOS逻辑功能部件9.1多路开关9.2加法器和进位链9.2.1加法器定义9.2.2全加器电路设计9.2.3进位链9.3算术逻辑单元9.3.1以传输门为主体的算术逻辑单元9.3.2以静态逻辑门电路为主体的算术逻辑单元9.4移位器9.5乘法器技术展望:片上系统(SOC)技术习题第10章半导体存储器10.1存储器概述10.1.1存储器的分类10.1.2存储器的相关性能参数10.1.3半导体存储器的结构10.2非挥发性只读存储器10.2.1ROM的基本存储单元10.2.2MOSOR和NOR型ROM10.2.3MOSNAND型ROM10.2.4预充式ROM10.2.5一次性可编程ROM10.3非挥发性读写存储器10.3.1可擦除可编程ROM10.3.2电可擦除可编程ROM10.3.3FLASH存储器10.4随机存取存储器10.4.1SRAM10.4.2DRAM10.5存储器外围电路10.5.1地址译码单元10.5.2灵敏放大器10.5.3时序和控制电路技术展望:高密度存储器习题第11章模拟集成电路基础11.1模拟集成电路中的特殊元件11.1.1MOS可变电容11.1.2集成双极型晶体管11.1.3集成MOS管11.2MOS晶体管及双极晶体管的小信号模型11.2.1MOS晶体管的小信号模型11.2.2双极晶体管的小信号模型11.3恒流源电路11.3.1电流源11.3.2电流基准电路11.4基准电压源电路11.4.1基准电压源的主要性能指标11.4.2带隙基准电压源的基本原理11.5单级放大器11.5.1MOS集成电路中的单级放大器11.5.2双极集成电路中的单级放大器11.6差动放大器11.6.1MOS差动放大器11.6.2双极晶体管差动放大器技术展望:低压低功耗模拟集成电路技术习题第12章D/A及A/D变换器12.1D/A变换器基本概念12.1.1D/A变换器基本原理12.1.2D/A变换器的分类12.1.3D/A变换器的技术指标12.2D/A变换器的基本类型12.2.1电流定标D/A变换器12.2.2电压定标D/A变换器12.2.3电荷定标D/A变换器12.3A/D变换器的基本概念12.3.1A/D变换器基本原理12.3.2A/D变换器的分类12.3.3A/D变换器的主要技术指标12.4A/D变换器的常用类型12.4.1积分型A/D变换器12.4.2逐次逼近式(SAR)A/D变换器12.4.3∑-△A/D变换器12.4.4全并行ADC12.4.5流水线A/D变换器技术展望:A/D变换器的发展方向习题参考文献
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开播时间:09月02日 10:30