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作者:
编者:宋建军//冒剑军//薛笑欢|责编:王瑛
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出版社:
西安电子科技大学出版社
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ISBN:
9787560659510
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出版时间:
2020-12
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版次:
1
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装帧:
平装
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开本:
16开
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纸张:
胶版纸
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页数:
112页
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字数:
161千字
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作者:
编者:宋建军//冒剑军//薛笑欢|责编:王瑛
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出版社:
西安电子科技大学出版社
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ISBN:
9787560659510
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出版时间:
2020-12
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纸张:
胶版纸
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页数:
112页
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字数:
161千字
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定价
￥20.00
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上书时间2024-05-01
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商品描述：
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内容简介:
本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。
目录:
第1章 Ge带隙类型转变理论
1.1 Ge带隙类型转变建模
1.1.1 Ge半导体应变张量
1.1.2 Ge半导体导带形变势
1.2 Ge带隙类型转变规律
1.2.1 仅应力作用
1.2.2 合金化作用
1.2.3 应力与合金化共作用
1.3 本章小结
习题
第2章 PD-Ge改性半导体能带结构
2.1 PD-Ge价带形变势理论
2.2 PD-Ge能带E-k关系模型
2.2.1 PD-Ge导带E-k关系
2.2.2 PD-Ge价带E-k关系
2.3 PD-Ge能带结构模型
2.3.1 导带结构模型
2.3.2 价带结构模型
2.4 本章小结
习题
第3章 DR-Ge1-xSnx和DBTS-Ge1-xSnx改性半导体能带结构
3.1 DR-Ge1-xSnx和DBTS-Ge1-xSnx能带E-k关系模型
3.2 DR-Ge1-xSnx能带结构模型
3.2.1 DR-Ge1-xSnx导带、价带结构模型
3.2.2 DR-Ge1-xSnx载流子有效质量模型
3.3 DBTS-Ge1-xSnx能带结构模型
3.3.1 DBTS-Ge1-xSnxΓ点处能级
3.3.2 DBTS-Ge1-xSnx导带、价带结构模型
3.3.3 DBTS-Ge1-xSnx载流子有效质量
3.4 本章小结
习题
第4章 DR-Ge1-xSnx和PD-Ge能带调制
4.1 DR-Ge1-xSnx禁带宽度调制
4.1.1
...
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开播时间：09月02日 10:30
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