图文详情

窄禁带半导体物理学科学出版社

【保正版出版社正版新书发货放心订购支持团购】

作者: 褚君浩著
出版社: 科学出版社
ISBN: 9787030144140
出版时间: 2005-03

装帧: 精装
开本: B5
页数: 956页

作者: 褚君浩著
出版社: 科学出版社
ISBN: 9787030144140

出版时间: 2005-03
装帧: 精装

开本: B5
页数: 956页

售价 283.89 9.5折

定价￥298.00

品相全新

优惠

运费

本店暂时无法向该地区发货

延迟发货说明

时间：

说明：

上书时间2023-12-24

数量: 库存3件

立即购买加入购物车收藏

卖家超过10天未登录

四年老店

书山有路图书专营店

店铺等级

拍卖等级

资质认证

90天平均

成功完成

91.32% (251笔)

好评率

99.95%

发货时间

12.11小时

店主

云鹤九霄龙腾四海

联系

在线交谈离线留言

地址

广东省惠州市惠阳区

进店逛逛收藏店铺

[去看看店主的拍品]

商品详情
店铺评价

立即购买加入购物车收藏

手机购买

微信扫码访问

商品分类：

教材教辅考试 > 教材 > 大学教材 > 管理

货号：

1202453472

商品描述：

内容简介
本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质，包括晶体生长，能带结构，光学性质，晶格振动，自由载流子的激发、运输和复合，杂质缺陷，表面界面，二维电子气，超晶格和量子阱，器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。在窄禁带半导体物理研究过程中建立的新型实验方法及器件应用也在书中有所介绍。

目录
序

前言

第1章概述

1.1 窄禁带半导体

1.2 现代红外光电子物理

1.2.1 红外材料平台

1.2.2 红外物理规律

1.2.3 红外功能器件

1.2.4 红外技术应用

参考文献

第2章晶体

2.1 晶体生长的基本理论

2.1.1 引言

2.1.2 晶体生长热力学问题

2.1.3 晶体生长动力学问题

2.1.4 相图在晶体生长中的应用

2.1.5 分凝系数

2.1.6 凝固过程

2.2 体材料生长的主要方法

2.2.1 提拉法

2.2.2 布里奇曼方法

2.2.3 半熔法和Te溶剂法

2.2.4 固态再结晶方法

2.3 液相外延薄膜的生长

2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生长条件

2.3.2 液相外延的生长程序

2.3.3 不同方式液相外延的比较

2.3.4 影响Hg1-xCdxTe液相外延层质量的几个因素

2.4 分子束外延薄膜生长

2.4.1 分子束外延生长过程

……

第3章能带结构

第4章光学性质

第5章输运性质

第6章晶格振动

第7章杂质缺陷

第8章复合

第9章表面二维电子气

第10章超晶格和量子阱

第11章器件物理

附录A 不同组分的HG1-xCDxTe的物理量关系表

附录B 简要公式
配送说明

...
相似商品
为你推荐