全新正版半导体器件物理(第3版国外名校教材精选) (美)施敏//伍国珏|译者:耿莉//张瑞智 9787560525969 西安交大

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作者: (美)施敏//伍国珏|译者:耿莉//张瑞智
出版社: 西安交大
ISBN: 9787560525969

出版时间: 2008-06
装帧: 其他
开本: 其他

作者: (美)施敏//伍国珏|译者:耿莉//张瑞智
出版社: 西安交大

ISBN: 9787560525969
出版时间: 2008-06

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综合性图书

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30760299

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作者简介
伍国珏（KWOKK.NG），1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位，1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位。1980年进入位于新泽西州MurrayHill的AT&T贝尔实验室，1996年作为朗讯科技的一部分剥离出来，后来隶属于宾夕法尼亚州Allentown的杰尔系统（AgereSystems），2001年作为微电子部独立出来。2005至2007年期间，他在加利福尼亚州SanJose的MVC和北卡罗莱纳州Durham的半导体研究公司工作。伍国珏博士还扭任IEEEEle，ctronicLetters编辑及IEEE出版社的联络员，他是《半导体器件完全指导》（CompleteguidetoSereiconductorDevices）第2版（Wiley出版）的作者。

目录
译者序
前言
导言
第1部分  半导体物理
  第1章  半导体物理学和半导体性质概要
    1.1  引言
    1.2  晶体结构
    1.3  能带和能隙
    1.4  热平衡时的载流子浓度
    1.5  载流子输运现象
    1.6  声子、光学和热特性
    1.7  异质结和纳米结构
    1.8  基本方程和实例
第2部分  器件的基本构件
  第2章  p-n结二极管
    2.1  引言
    2.2  耗尽区
    2.3  电流-电压特性
    2.4  结击穿
    2.5  瞬变特性与噪声
    2.6  端功能
    2.7  异质结
  第3章  金属-半导体接触
    3.1  引言
    3.2  势垒的形成
    3.3  电流输运过程
    3.4  势垒高度的测量
    3.5  器件结构
    3.6  欧姆接触
  第4章  金属-绝缘体-半导体电容
    4.1  引言
    4.2  理想MIS电容
    4.3  硅MOS电容
第3部分  晶体管
  第5章  双极晶体管
    5.1  引言
    5.2  静态特性
    5.3  微波特性
    5.4  相关器件结构
    5.5  异质结双极晶体管
  第6章  MOS场效应晶体管
    6.1  引言
    6.2  器件的基本特性
    6.3  非均匀掺杂和埋沟器件
    6.4  器件按比例缩小和短沟道效应
    6.5  MOSFET的结构
    6.6  电路应用
    6.7  非挥发存储器
    6.8  单电子晶体管
  第7章  JFET，MESFET和MODFET器件
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