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陈星弼 、 张庆中 著 / 电子工业出版社 / 2007-12 / 平装
售价 ¥ 145.00
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上书时间2023-02-06
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晶体管原理与设计
《晶体管原理与设计》(第2版)全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性,包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性,以及器件的SPICE模型。
陈星弼,男,1931年1月出生于上海,毕业于重庆永川国立十六中学(现名为北山中学),1952年毕业于同济大学,后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电器工程系客座教授,英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。
第一章 半导体器件基本方程半导体器件基本方程的形式基本方程的简化与应用举例参考文献第二章 PN结PN结的平衡状态PN结的直流电流电压方程准费米能级与大注人效应PN结的击穿PN结的势垒电容PN结的交流小信号特性与扩散电流PN结的开关特性习题参考文献第三章 双极结型晶体管双极结型晶体管基础均匀基区晶体管的电流放大系数缓变基区晶体管的电流放大系数双极晶体管的直流电流电压方程双极晶体管的反向特性基极电阻双极晶体管的功率特性电流入大系数与频率的关系高频小信号电流电压方程与等效电路功率增益和最高振荡效率……第四章 双极晶体管的设计第五章 绝缘栅场效应晶体管附录
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开播时间:09月02日 10:30