深亚微米CMOS模拟集成电路设计

　　《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型，然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》对模拟设计概念的描述将诉诸更加直观的方法而不是繁琐的公式推导。

　　《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》可以作为工科院校相关专业高年级本科生和研究生的参考用书，也可以供半导体和集成电路设计领域技术人员阅读。

　　宋邦燮（Bang-SupSong）博士，1973年获首尔国立大学（SeoulNationalUniversity）学士学位，1975年获韩国科学技术院（KoreaAdvancedInstituteofScience）硕士学位，1983年获加州大学伯克利分校博士学位。1975年至1978年，供职于韩国国防科学研究所（AgencyforDefenseDevelopment，Korea）。1983年至1986年，供职于新泽西州默里山AT&T贝尔实验室，同时任新泽西州罗格斯大学电子工程系访问学者。1986年至1999年，任厄巴纳伊利诺伊大学电子和计算机工程系以及协同科学实验室（CoordinatedScienceLaboratory）教授。1999年，进入加州大学圣地亚哥分校电子和计算机工程系，被授予无线通信领域CharlesLeePowell讲席教授职位。

　　宋博士于1986年获AT&-T贝尔实验室DistinguishedTechnicalStaff奖，1987年获模拟器件公司CareerDevelopmentProfessor奖，1995年获伊利诺伊大学XeroxSeniorFacultyResearch奖。宋博士在美国电气电子工程师协会（IEEE）的学术兼职包括IEEE固态电路杂志（JSSC）、IEEE电路与系统杂志（TCAS）副主编，国际固态电路会议（ISSCC）、国际电路与系统年会（ISCAS）组委会成员。宋博士是美国电气电子工程师学会院士（IEEEFellow）。

第1章放大器基础

1.1激励点和传递函数

1.2频率响应

1.3稳定性判据

1.4运算放大器用于负反馈

1.5相位裕度

1.6瞬态响应

1.7反馈放大器

1.8反馈的作用

1.9左半平面和右半平面零点

1.10反馈放大器的稳定性

第2章放大器的设计

2.1晶体管的低频抽象模型

2.1.1大信号

2.1.2小信号

2.1.3跨导g。和输出电阻

2.1.4小信号模型

2.1.5体效应

2.2低频激励点电阻

2.3电阻反射定律

2.4三种基本放大器组态

2.5九种组合放大器

2.5.1共源一共源结构

2.5.2共源一共栅结构

2.5.3共源一共漏结构

2.5.4共栅一共源、共栅一共栅、共栅一共漏结构

2.5.5共漏一共源结构

2.5.6共漏一共栅结构

2.5.7共漏一共漏结构

2.6差分对

2.6.1共模抑制

2.6.2对称的传递函数

2.7增益自举

2.7.1零极点对的约束

2.7.2其他增益自举的概念

2.8偏置

2.8.1最大化信号摆幅的套筒结构的偏置

2.8.2电流源的匹配

2.9电压源和电流源

2.9.1以Vcs和AVGs为参考的电流源

2.9.2带隙参考

参考文献

第3章运算放大器

3.1运算放大器的小信号模型

3.2运算放大器的频率补偿

3.2.1并联补偿

3.2.2极点分裂米勒补偿

3.3两级米勒补偿运算放大器的相位裕度

3.4两级运算放大器右半平面零点的消除技术

3.4.1插入串联电阻

3.4.2利用源极跟随器形成反馈

3.4.3利用附加的增益级对Gm自举

3.5负反馈运算放大器的瞬态响应

3.5.1压摆率

3.5.2全功率带宽

3.6运算放大器设计举例

3.6.1三级套筒式运算放大器

……

第4章数据转换器基础

第5章奈奎斯特数据转换器

第6章过采样数据转换器

第7章高精度数据转换器

第8章锁相环基础

第9章频率综合和时钟恢复