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韩雁 、 丁扣宝 著 / 电子工业出版社 / 2013-03 / 平装
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微电子与集成电路设计系列规划教材:半导体器件TCAD设计与应用
《微电子与集成电路设计系列规划教材:半导体器件TCAD设计与应用》主要内容包括:半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD,工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI,工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD,工艺及器件仿真工具ISE-TCAD,工艺仿真工具(DIOS)的优化使用,器件仿真工具(DESSIS)的模型分析,片上(芯片级)ESD防护器件的性能评估,ESD防护器件关键参数的仿真,VDMOSFET的设计及仿真验证,IGBT的设计及仿真验证等。
第1章半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD1.1集成工艺仿真系统SentaurusProcess1.1.1SentaurusProcess工艺仿真工具简介1.1.2SentaurusProcess基本命令介绍1.1.3SentaurusProcess中的小尺寸模型1.1.4SentaurusProcess仿真实例1.2器件结构编辑工具SentaurusStructureEditor1.2.1SentaurusStructureEditor(SDE)器件结构编辑工具简介1.2.2完成从SentaurusProcess到SentaurusDevice的接口转换1.2.3创建三维结构1.3器件仿真工具SentaurusDevice1.3.1SentaurusDevice器件仿真工具简介1.3.2SentaurusDevice主要物理模型1.3.3SentaurusDevice仿真实例1.4集成电路虚拟制造系统SentaurusWorkbench简介1.4.1SentaurusWorkbench(SWB)简介1.4.2创建和运行仿真项目参考文献第2章工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI2.1TSUPREM-4的工艺模型介绍2.1.1扩散模型2.1.2离子注入模型2.1.3氧化模型2.1.4刻蚀模型2.2TSUPREM-4基本命令介绍2.2.1符号及变量说明2.2.2命令类型2.2.3常用命令的基本格式与用法2.3双极晶体管结构的一维仿真示例2.3.1TSUPREM-4输入文件的顺序2.3.2初始有源区仿真2.3.3网格生成2.3.4模型选择2.3.5工艺步骤2.3.6保存结构2.3.7绘制结果2.3.8打印层信息2.3.9完成有源区仿真2.3.10最终结果2.4半导体器件仿真工具MEDICI简介2.4.1MEDICI的特性2.4.2MEDICI的使用2.4.3MEDICI的语法概览2.5MEDICI实例1——NLDMOS器件仿真2.6MEDICI实例2——NPN三极管仿真参考文献第3章工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD3.1使用ATHENA的NMOS工艺仿真3.1.1概述3.1.2创建一个初始结构3.1.3定义初始衬底3.1.4运行ATHENA并且绘图3.1.5栅极氧化3.1.6提取栅极氧化层的厚度3.1.7栅氧厚度的最优化3.1.8完成离子注入3.1.9在TonyPlot中分析硼掺杂特性3.1.10多晶硅栅的淀积3.1.11简单几何刻蚀3.1.12多晶硅氧化3.1.13多晶硅掺杂3.1.14隔离氧化层淀积3.1.15侧墙氧化隔离的形成3.1.16源/漏极注入和退火3.1.17金属的淀积3.1.18获取器件参数3.1.19半个NMOS结构的镜像3.1.20电极的确定3.1.21保存ATHENA结构文件3.2使用ATLAS的NMOS器件仿真3.2.1ATLAS概述3.2.2NMOS结构的ATLAS仿真3.2.3创建ATLAS输入文档3.2.4模型命令组3.2.5数字求解方法命令组3.2.6解决方案命令组参考文献第4章工艺及器件仿真工具ISE-TCAD4.1工艺仿真工具DIOS4.1.1关于DIOS4.1.2各种命令说明4.1.3实例说明4.2器件描述工具MDRAW4.2.1关于MDRAW4.2.2MDRAW的边界编辑4.2.3掺杂和优化编辑4.2.4MDRAW软件基本使用流程4.3器件仿真工具DESSIS4.3.1关于DESSIS4.3.2设计实例4.3.3主要模型简介4.3.4小信号AC分析参考文献第5章工艺仿真工具(DIOS)的优化使用5.1网格定义5.2工艺流程模拟5.2.1淀积5.2.2刻蚀5.2.3离子注入5.2.4氧化5.2.5扩散5.3结构操作及保存输出参考文献第6章器件仿真工具(DESSIS)的模型分析6.1传输方程模型6.2能带模型6.3迁移率模型6.3.1晶格散射引起的迁移率退化6.3.2电离杂质散射引起的迁移率退化6.3.3载流子间散射引起的迁移率退化6.3.4高场饱和引起的迁移率退化6.3.5表面散射引起的迁移率退化6.4雪崩离化模型6.5复合模型参考文献第7章TCAD设计工具、仿真流程及ESD器件的性能评估7.1ESD防护设计要求及TCAD辅助设计的必要性7.2工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程7.3工艺和器件仿真的基本流程7.4TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例7.4.1半导体工艺级仿真流程7.4.2从工艺级仿真向器件级仿真的过渡流程7.4.3半导体器件级仿真的流程7.5利用瞬态仿真对ESD综合性能的定性评估7.5.1TCAD评估基本设置7.5.2有效性评估7.5.3敏捷性评估7.5.4鲁棒性评估7.5.5透明性评估7.5.6ESD总体评估参考文献第8章ESD防护器件关键参数的仿真8.1ESD仿真中的物理模型选择8.2热边界条件的设定8.3ESD器件仿真中收敛性问题解决方案8.4模型参数对关键性能参数仿真结果的影响8.5二次击穿电流的仿真8.5.1现有方法局限性8.5.2单脉冲TLP波形瞬态仿真方法介绍8.5.3多脉冲TLP波形仿真介绍参考文献第9章VDMOSFET的设计及仿真验证9.1VDMOSFET概述9.2VDMOSFET元胞设计9.2.1结构参数及工艺参数9.2.2工艺流程9.2.3工艺仿真9.2.4器件仿真9.2.5器件优化9.3VDMOSFET终端结构的设计9.3.1结构参数设计9.3.2工艺仿真9.3.3器件仿真9.3.4参数优化9.4VDMOSFETESD防护结构设计9.4.1ESD现象概述9.4.2VDMOSFET中的ESD结构……
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开播时间:09月02日 10:30