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杨树人 著 / 科学出版社 / 2004-04 / 平装
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上书时间2020-04-09
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半导体材料
《半导体材料(第2版)》是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材。《半导体材料(第2版)》介绍主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理,工艺和特性的控制等。全书分11章:第1章为硅和锗的化学制备;第2章为区熔提纯;第3章为晶体生长;第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷;第5章为硅外延生长;第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体;第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长;第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体;第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体;第10章为氧化物半导体材料;第11章为其他半导体材料。
《半导体材料(第2版)》也可以作为从事与半导体相关研究工作的科研人员和相关专业研究生的参考书。
再版前言前言绪论第1章硅和锗的化学制备1-1硅和锗的物理化学性质1-2高纯硅的制备1-3锗的富集与提纯第2章区熔提纯2-1分凝现象与分凝系数2-2区熔原理2-3锗的区熔提纯第3章晶体生长3-1晶体生长理论基础3-2熔体的晶体生长3-3硅、锗单晶生长第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷4-1硅、锗晶体中杂质的性质4-2硅、锗晶体的掺杂4-3硅、锗单晶的位错4-4硅单晶中的微缺陷第5章硅外延生长5-1外延生长概述5-2硅的气相外延生长5-3硅外延层电阻率的控制5-4硅外延层的缺陷5-5硅的异质外延第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体6-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性6-2砷化镓单晶的生长方法6-3砷化镓单晶中杂质的控制6-4砷化镓单晶的完整性6-5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长7-1气相外延生长(VPE)7-2金属有机物气相外延生长(MOVPE)7-3液相外延生长(LPE)7-4分子束外延生长(MBE)7-5化学束外延生长(CBE)7-6其他外延生长技术第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体8-1异质结与晶格失配8-2GaAlAs外延生长8-3InGaN外延生长8-4InGaAsP外延生长8-5超晶格与量子阱8-6应变超晶格8-7能带工程第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体9-1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备9-2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象9-3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料9-4Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料第10章氧化物半导体材料10-1氧化物半导体材料的制备10-2氧化物半导体材料的电学性质10-3氧化物半导体材料的应用第11章其他半导体材料11-1窄带隙半导体11-2黄铜矿型半导体11-3纳米晶材料11-4非晶态半导体材料11-5有机半导体材料参考文献
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开播时间:09月02日 10:30