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超大规模集成电路先进光刻理论与应用
韦亚一 著 / 科学出版社 / 2016-06 / 精装
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上书时间2024-04-25
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光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中,正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律(器件集成度每两年左右翻一番)得以继续。《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》覆盖现代光刻技术的主要方面,包括设备、材料、仿真(计算光刻)和工艺,内容直接取材于国际先进集成电路制造技术,为了保证先进性,特别侧重于32nm节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例,这些实例都是经过生产实际验证的,希望能对读者有所启发。《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》可供高等院校的高年级本科生和研究生、集成电路设计和制造人员、微纳器件研发和制造工程师参考。
前言第1章 光刻技术概述1.1 半导体技术节点1.2 集成电路的结构和光刻层1.3 光刻工艺1.4 曝光系统的分辨率和聚焦深度1.4.1 分辨率1.4.2 聚焦深度1.4.3 调制传递函数1.5 对设计的修正和版图数据流程1.6 光刻工艺的评价标准1.7 去胶返工1.8 光刻工艺中缺陷的检测1.8.1 旋涂后光刻薄膜中缺陷的检测1.8.2 曝光后图形的缺陷检测1.9 光刻工艺的成本1.10 现代光刻工艺研发各部分的职责和协作1.10.1 晶圆厂光刻内部的分工以及各单位之间的交叉和牵制1.10.2 先导光刻工艺研发的模式1.10.3 光刻与刻蚀的关系参考文献第2章 匀胶显影机及其应用2.1 匀胶显影机的结构2.2 匀胶显影流程的控制程序2.3 匀胶显影机内的主要工艺单元2.3.1 晶圆表面增粘处理2.3.2 光刻胶旋涂单元2.3.3 烘烤和冷却2.3.4 边缘曝光2.3.5 显影单元2.4 清洗工艺单元2.4.1 去离子水冲洗2.4.2 晶圆背面清洗2.5 匀胶显影机中的子系统2.5.1 化学液体输送系统2.5.2 匀胶显影机中的微环境和气流控制2.5.3 废液收集系统2.5.4 数据库系统2.6 匀胶显影机性能的监测2.6.1 胶厚的监测2.6.2 旋涂后胶膜上颗粒的监测2.6.3 显影后图形缺陷的监测2.6.4 热盘温度的监测2.7 集成于匀胶显影机中的在线测量单元2.7.1 胶厚测量单元2.7.2 胶膜缺陷的检测2.7.3 使用高速相机原位监测工艺单元内的动态2.8 匀胶显影机中的闭环工艺修正2.9 匀胶显影设备安装后的接收测试2.9.1 颗粒测试2.9.2 增粘单元的验收2.9.3 旋涂均匀性和稳定性的验收2.9.4 显影的均匀性和稳定性测试2.9.5 系统可靠性测试2.9.6 产能测试2.9.7 对机械手的要求2.10 匀胶显影机的使用维护参考文献第3章 光刻机及其应用3.1 投影式光刻机的工作原理3.1.1 步进扫描式曝光3.1.2 光刻机曝光的流程3.1.3 曝光工作文件的设定3.1.4 双工件台介绍3.2 光刻机的光源及光路设计……第4章 光刻材料第5章 掩模板及其管理第6章 对准和套刻误差控制第7章 光学邻近效应修正与计算光刻第8章 光刻工艺的设定与监控第9章 晶圆返工与光刻胶的清除第10章 双重和多重光刻技术第11章 极紫外(EUV)光刻技术中英文光刻术语对照彩图
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开播时间:09月02日 10:30