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  • 固体物理学家华中师范大学教授邱永喜1971年干部登记表一份
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固体物理学家华中师范大学教授邱永喜1971年干部登记表一份

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  • 作者: 
  • 年代:    建国后 (1949至今)
  • 页数:    4页
  • 尺寸:    19 × 27 cm
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  • 页数:  4页
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售价 480.00

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    • 商品分类:
      名人墨迹 > 资料档案
      品相描述:八品
      151号文件夹
      商品描述:
      (1918~1980) 
        邱永喜。祖籍南京,出生于湖北大冶一工人家庭。在下陆小学上学时,因家庭困难,时读时辍,但他勤奋好学,立志成为科学家。由于成绩优异,获得 武昌博文中学、华中大学的奖学金,并于1942年7月毕业于华中大学物理系。1942年至1947年任武昌博文中学教员兼任教务主任、训导主任。1947年6月获得中英文化协会研究生奖学金,赴英国剑桥大学留学,就读于剑桥大学威斯理宗教学院。不到半年即放弃学习神学,到唐宁学院师从世界著名物理学家、诺贝尔奖金获得者布拉格(L?Bragg)教授,主攻晶体物理和固体物理。1949年获得剑桥大学荣誉硕士学位。该校杜罗学院院长杰姆士多次邀邱到该院任教,他拒绝了校方的邀请和朋友的挽留,克服困难,于1949年9月返回祖国。 
        1949年10月至1951年7月在武昌博文中学任教,担任代理校长并兼任华中大学物理系量子力学、化学系物理化学课程的教学工作。1953年至1980年任华中师范学院物理系副主任、主任,1978年晋升为教授。曾任华中师范学院院务委员会委员,九三学社武汉分社第二届委员会委员、第三届常委,武汉市第五届人大代表,湖北省第二届政协委员,湖北省暨武汉市物理学会副理事长、固体物理专业委员会主任委员。1978年主持翻译美国70年代有重要影响的改革教材《中学物理教程》(《The Project Physics Gourse》),最先介绍美国中学物理教学改革情况,对全国中学物理教学起到了积极作用。 
        邱为固体物理专家,50年代即开始半导体光电池的研究。1960年指导中南地区半导体大会战,研制Ge隧道二极管,半年完成,达到当时国际先进水平。1960~1962年,指导建立华中师范学院物理系半导体材料和器件研究室,开展Ge的提纯和晶体三极管的研究。1966年指导建成武汉半导体二厂和沙市晶体管厂,70年代又指导华中师范学院半导体厂研制生产了3CT50 
        —500A大功率可控硅整流器件,为发展湖北省的半导体工业奠定了基础。邱多次被评为学校先进工作者。1960年被评为湖北省劳动模范,湖北省文教战线先进工作者,受到毛泽东主席的接见。 
        1979年他患癌症期间,坚持为青年教师上课,院、系领导劝他休息,他说:“如果不上完这门课,我临终时会感到痛苦的”。

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