现代半导体器件物理

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[美] 施敏 / 科学出版社 / 2002-07 / 其他

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图书 > 工程技术
现代半导体器件物理
作者: [美] 施敏

出版社: 科学出版社

出版时间: 2002-07

版次: 1

ISBN: 9787030090591

定价: 48.00

装帧: 其他

开本: 其他

纸张: 其他

页数: 428页
内容简介：

本书是1981年版《半导体器件物理》的续编。书中详细介绍了近20年来经典半导体器件的新增功能及新型半导体器件的物理机制。全书共八章，内容涉及先进的双极晶体管和异质结器件，金属-半导体接触及各种场效应晶体管，功率器件、量子器件、热电子器件、微波器件、高速光子器件，以及太阳能电池等。各章末除附有习题外还给出了尽可能多的参考文献。书后附录提供了符号表、国际单位制基本单位、物理常数、晶格常数最新值，以及元素半导体，二元、三元化合物半导体和绝缘体的特征。本书可作为应用物理、电子工程电机、材料科学领域大学本科生及研究生教材，也可供在半导体器件领域工作的科学家与工程师参考。

目录：

1，双极晶体管2，化合物半导体场效应晶体管3，MOSFET及其相关器件4，功率器件5，量子效应和热电子器件6，有源微波二极管7，高速光子器件8，太阳电池附录A 符号表附录B 国际单位制（SI单位）附录C 单位词头附录D 希腊字母附录E 物理常数附录F 300D的晶格常数附录G 重要的元素和二元半导体性质附录H Si和GaAs在300K的性质附录I 3-V族三元化合物半导体的性质附录J SiO和SiN在300K的性质索引

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