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[美] 皮埃罗 著; 黄如 译 / 电子工业出版社 / 2010-07 / 平装
售价 ¥ 69.10
品相 九五品品相描述
上书时间2021-03-19
国外电子与通信教材系列:半导体器件基础
《半导体器件基础》是一本微电子技术方面的入门书籍,全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章,首先介绍了半导体基础,讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管(BJT)和其他结型器件的基本物理特性,并给出了相关特性的定性与定量分析。最后,作者讨论了场效应器件,除了讲解基础知识之外,还分析了小尺寸器件相关的物理问题,并介绍了一些新型场效应器件。全书内容丰富、层次分明,兼顾了相关知识的深度与广度,系统讲解了解决实际器件问题所必需的分析工具,并且提供了大量利用计算机实现的练习与习题。
《半导体器件基础》可作为微电子专业的本科生及研究生的教材或参考书,也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。
第一部分半导体基础第1章半导体概要1.1半导体材料的特性1.1.1材料的原子构成1.1.2纯度1.1.3结构1.2晶体结构1.2.1单胞的概念1.2.2三维立方单胞1.2.3半导体晶格1.2.4密勒指数1.3晶体的生长1.3.1超纯硅的获取1.3.2单晶硅的形成1.4小结习题第2章载流子模型2.1量子化概念2.2半导体模型2.2.1价键模型2.2.2能带模型2.2.3载流子2.2.4.带隙和材料分类2.3载流子的特性2.3.1电荷2.3.2有效质量2.3.3本征材料内的载流子数2.3.4载流子数的控制——掺杂2.3.5与载流子有关的术语2.4状态和载流子分布2.4.1密度2.4.2费米分布函数2.4.3平衡载流子分布2.5平衡载流子浓度2.5.1n型和p型的公式2.5.2n型和p型表达式的变换2.5.3n和载流子浓度乘积np2.5.4电中性关系2.5.5载流子浓度的计算2.5.6费米能级En的确定2.5.7载流子浓度与温度的关系2.6小结习题第3章载流子输运3.1漂移3.1.1漂移的定义与图像3.1.2漂移电流3.1.3迁移率3.1.4电阻率3.1.5能带弯曲3.2扩:散3.2.1扩散的定义与图像3.2.2热探针测量法3.2.3扩散和总电流3.2.4扩散系数与迁移率的关系3.3复合一产生3.3.1复合一产生的定义与图像3.3.2动量分析3.3.3R.G统计3.3.4.少子寿命3.4状态方程3.4.1连续性方程3.4.2少子的扩散方程3.4.3问题的简化和解答3.4.4解答问题3.5补充的概念3.5.1扩散长度3.5.2准费米能级3.6小结习题第4章器件制备基础4.1制备过程4.1.1氧化4.1.2扩散4.1.3离子注入4.1.4光刻4.1.5薄膜淀积4.1.6外延4.2器件制备实例4.2.1pn结二极管的制备4.2.2计算机CPU的工艺流程4.3小结第一部分补充读物和复习可选择的/补充的阅读资料列表图的出处/引用的参考文献术语复习一览表第一部分——复习题和答案第二部分Ap门结二极管第5章pn结的静电特性5.1前言5.1.1结的相关术语/理想杂质分布5.1.2泊松方程5.1.3定性解5.1.4内建电势(V)5.1.5耗尽近似5.2定量的静电关系式5.2.1假设和定义5.2.2K=0条件下的突变结5.2.3K≠0条件下的突变结5.2.4结果分析5.2.5线性缓变结5.3小结习题第6章pn结二极管:V特性6.1理想二极管方程6.1.1定性推导6.1.2定量求解方案6.1.3严格推导6.1.4结果分析6.2与理想情况的偏差6.2.1理想理论与实验的比较6.2.2反向偏置的击穿6.2.3复合一产生电流6.2.4Va-V时的大电流现象6.3一些需要特别考虑的因素6.3.1电荷控制方法6.3.2窄基区二极管6.4小结习题第7章on结二极管:小信号导纳7.1引言7.2反向偏置结电容7.2.1基本信息7.2.2C-V关系7.2.3参数提取和杂质分布7.2.4反向偏置电导7.3正向偏置扩散导纳7.3.1基本信息7.3.2导纳关系式7.4小结习题第8章pn结二极管:瞬态响应8.1瞬态关断特性8.1.1引言8.1.2定性分析8.1.3存贮延迟时间8.1.4总结8.2瞬态开启特性8.3小结习题第9章光电二极管9.1引言9.2光电探测器9.2.1pn结光电二极管9.2.2p-i-n和雪崩光电二极管9.3太阳能电池9.3.1太阳能电池基础9.3.2效率研究……第二部分BBJT和其他结型器件第10章BJT基础知识第11章BJT静态特性第12章BJT动态响应模型第13章PNPN器件第14章MS接触和肖特基二极管第二部分补充读物和复习可选择的/补充的阅读资料列表图的出处/引用的参考文献术语复习一览表第二部分-复习题和答案第三部分场效应器件第15章场效应导言-J-FET和MESFET第16章MOS结构基础第17章MOSFET器件基础第18章非理想MOS第19章现代场效应管结构第三部分补充读物和复习可选择的/补充的阅读资料列表图的出处/引用的参考文献术语复习一览表第三部分-复习题和答案附录A量子力学基础附录BMOS半导体静电特性-精确解附录CMOSC-V补充附录DMOSI-V补充附录E符号表附录FMATLAB程序源代码
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开播时间:09月02日 10:30