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无划线笔记
虞丽生 著 / 科学出版社 / 2006-05 / 平装
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半导体异质结物理
本书总结了国内外半导体异质结方面的研究成果,系统地介绍了半导体异质结的基本物理原理和特性。全书共分10章,内容包括半导体异质结材料特性,能带图,伏安特性,异质结晶体管,二维电子气及调制掺杂器件,异质结结中非平衡载流子特性、半导体异质结激光器、半导体异质结的光电特性、氮化镓异质结、超晶格和多量子阱。
本书可供已学过半导体物理的高年级本科生、研究生及相关人员阅读。
第二版前言第一版前言第1章序言参考文献第2章半导体异质结的组成与生长2.1材料的一般特性2.1.1晶格结构2.1.2能带结构2.1.3有效质量和等效态密度2.2异质结界面的晶格失配2.3异质结的生长2.3.1液相外延法(LPE)2.3.2金属有机化学气相沉积法(M0cvD)2.3.3分子束外延(MBE)思考题参考文献第3章半导体异质结的能带图3.1理想突变异质结的能带图3.1.1异型异质结——Anderson模型3.1.2同型异质结3.1.3对pN异质结的修正3.2异质结的能带带阶3.2.1Anderson定则及有关争议3.2.2测量能带带阶的方法3.3有界面态的突变异质结能带图3.3.1界面态密度较小3.3.2界面态密度较大3.3.3界面态密度很大3.4渐变异质结的能带图思考题参考文献第4章半导体异质结的伏安特性和异质结晶体管4.1异质结的注入比4.2异质结中的超注入现象4.3理想突变异质结的伏安特性4.3.1pN异质结4.3.2nN异质结4.4有界面态的异质结的伏安特性4.4.1热电子发射和多阶隧道的并联模型4.4.2界面能级的电离对伏安特性的影响4.4.3空间电荷区的复合电流4.4.4完全经由界面态的复合电流4.4.5表面复合对伏安特性的影响4.5伏安特性的微商研究法4.6异质结双极晶体管4.6.1理论分析4.6.2异质结双极晶体管的制备4.7GezSi-x/Si异质结器件4.7.1GexSi-/Si异质结的基本特性4.7.2迁移率和输运特性4.7.3GexSi-x/Si双极晶体管和场效应晶体管思考题参考文献第5章半导体异质结构中的二维电子气及调制掺杂器件5.1方形势阱中粒子运动的特性5.1.1一维方形势阱5.1.2方形沟道势阱中的粒子5.2异质结量子势阱中的二维电子气5.2.1方形势阱的简单分析5.2.2异质结界面的量子阱5.2.3势阱中的面电子密度5.2.4界面组分渐变对势阱的影响5.3二维电子气的输运5.3.1二维弛豫时间近似5.3.2二维电子气的散射5.4调制掺杂结构和场效应晶体管5.5强磁场中的二维电子气5.5.1磁量子效应和磁阻振荡5.5.2二维电子气的朗道能级5.5.3量子霍尔效应思考题参考文献第6章半导体异质结中的非平衡载流子6.1过剩载流子的特性6.1.1准费米能级6.1.2过剩载流子的寿命6.1.3过剩载流子的扩散6.2异质结中的过剩载流子6.3异质结中过剩载流子寿命的测量6.3.1荧光脉冲衰减法6.3.2反向电压恢复法6.3.3激光延迟法6.3.4光电流法6.4热载流子的一般特性6.4.1电子温度和分布函数6.4.2热载流子的漂移和扩散6.4.3载流子在能谷之间的转移6.5研究热载流子特性的实验方法6.5.1迁移率测量6.5.2光荧光谱测量6.5.3吸收光谱测量6.5.4拉曼散射测量6.5.5隧道效应测量6.5.6时间分辨光谱的测量6.6异质结中的热电子行为6.6.1异质结中热电子的光荧光谱6.6.2异质结中电子迁移率随电场的变化6.6.3异质结中热载流子的远红外发射6.6.4异质结中热载流子的弛豫6.6.5异质结中热电子的实际空间转移6.7几种实空间转移器件6.7.1负阻振荡器6.7.2负阻场效应晶体管(NERFET)6.7.3电荷注人晶体管(CHINT)思考题参考文献第7章半导体异质结激光器及光波导7.1半导体受激光发射的基本原理7.1.1半导体中光的吸收、自发辐射和受激辐射7.1.2半导体中受激光发射的必要条件7.1.3半导体的吸收谱和增益谱7.1.4异质结对电流的限制作用7.2半导体激光器的阈值条件7.2.1阈值增益7.2.2半导体激光器的纵模7.3增益和电流的关系,量子效率和增益因子7.4半导体异质结激光器的横模7.4.1半导体异质结光波导效应的理论分析7.4.2半导体激光器的条形结构7.5半导体激光器增益谱的测量7.6半导体异质结光波导76.1脊形光波导7.6.2组分无序化光波导7.6.3光弹光波导思考题参考文献第8章半导体异质结的光电特性8.1异质结的光伏特性和光电流8.2键合异质结的光电流8.3用光电导方法测量AlGaN/GaN异质结中Al的组分8.4用光反射测量A1GaN及AlGaN/GaN异质结中Al的组分8.5用光电流方法测量金属和GaN及AlGaN/GaN异质结构肖特基势垒的高度8.6异质结光电晶体管思考题参考文献第9章氮化镓材料及其异质结特性9.1氮化镓的基本物理特性9.2金属和GaN及AlGaN/GaN的肖特基接触9.2.1基本特性9.2.2金属/GaN肖特基势垒中电子的输运机制9.2.3金属和A1CaN/GaN结构的肖特基结9.3金属在AlGaN上的肖特基结势垒高度和Al组分的关系9.4p型GaN材料的特殊情况9.4.1空穴浓度9.4.2金属在p-GaN上的肖特基接触9.5AlGaN/GaN和InGaN/GaN的自发极化和压电极化9.5.1压电效应的由来及其对器件的影响9.5.2压电效应引起的量子限制斯塔克(QCSE)效应9.6InGaN/GaN量子阱发光管和激光器中发光均匀性和光谱特性9.6.1InGaN/GaN量子阱发光的不均匀性9.6.2光谱特性9.7GaN的电子器件思考题参考文献第10章半导体超晶格和多量子阱10.1超晶格和多量子阱的一般描述10.2超晶格的能带10.2.1GaAs—AlzGa1-xAs超晶格10.2.2InAs-GaSb超晶格10.2.3HgTe-CdTe超晶格10.2.4应变层超晶格10.2.5Iv-VI族和II-V族超晶格10.2.6掺杂超晶格10.3垂直于超晶格方向的电子输运10.4超晶格的光谱特性10.4.1吸收光谱实验10.4.2激子光谱10.4.3激子的饱和吸收10.4.4室温荧光特性10.4.5其他光谱特性10.5超晶格和量子阱器件10.5.1量子阱激光器lO.5.2光学双稳态器件10.6量子阱和超晶格的近期进展10.6.1量子限制斯塔克效应(QCSE)10.6.2超晶格子能带的电学研究10.6.3量子阱超晶格光电接收器10.6.4Wannier—Stark效应10.6.5超晶格红外级联激光器10.6.6超晶格中的布洛赫振荡思考题参考文献部分参考答案常用物理常数表
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图2
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开播时间:09月02日 10:30