太阳能电池的硅晶体生长

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作者: （日）中岛一雄等编，高扬译
出版社: 上海交通大学出版社
ISBN: 9787313190482
出版时间: 2018-05

装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸

作者: （日）中岛一雄等编，高扬译
出版社: 上海交通大学出版社
ISBN: 9787313190482

出版时间: 2018-05
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工程技术

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【编辑推荐】:

     即使对于多晶硅硅片（multicrystalline Si wafer），其宏观特性也可以在晶体生长过程中，通过控制其微观结构加以改变。

【内容简介】:

     《太阳能电池的硅晶体生长》的写作目的是为了向读者介绍应用于太阳能电池的各类硅晶体生长机理、模拟、工艺及特性。本书首先论述了制备硅原料的冶金级硅方法、西门子法和冶金法，然后讨论了生产单晶硅棒的切克劳斯基法和区熔法、生长多晶硅铸锭的定向凝固法、铸造单晶硅技术以及多晶硅铸锭的亚晶界问题，再论述了可以替代硅片的带硅和球形硅技术，接着解释了制备晶体硅薄膜太阳能电池的液相外延法、气相外延法、闪光灯退火、铝诱导层交换，*后提供制备太阳能级硅需要的热化学数据库和动力学数据库。《太阳能电池的硅晶体生长》可以作为一本参考书，适合物理系、材料系、化学系、光学系、电子工程系、动力与能源系或其他相关专业的本科生、研究生和教师，学习研究太阳能硅晶体生长技术。本书也可以作为太阳能研究机构科学家或太阳能企业工程师的参考资料，为研究、开发、生产各种硅晶体提供帮助。

【作者简介】:

    高扬，2002年上海交通大学应用物理学学士，2004年美国光学排名前5的University of Central Florida物理学硕士，导师为互联网光纤通讯用激光传输速度世界纪录保持者。回国工作12年，主要供职于美资世界*光纤通讯器件公司和美资太阳能咨询公司等单位，对各种新型太阳能电池技术的发展都在实际工作中有深刻的理解，对太阳能多晶硅/硅片/电池/组件/逆变器/支架/储能的研发/生产/质量/设备/辅材也有较全面的认识。目前，独立经营太阳能咨询外贸公司，主要服务于欧美亚洲的企业客户,业绩良好。

【目录】:

名词缩写表
参数符号表
1硅原料
1.1概论
1.1.1主要技术路线
1.1.2杂质
1.2冶金级硅
1.3西门子法
1.4冶金法
1.4.1氧化去除硼
1.4.1.1铸桶提纯熔渣
1.4.1.2熔渣特性
1.4.2与水蒸汽反应去除硼
1.4.3真空处理去除磷
1.4.4凝固提纯
1.4.5溶剂提纯
1.4.6浸出去除杂质
1.4.7电解/电化学纯化
1.4.8沉淀去除夹杂
1.4.9过滤去除夹杂
参考文献
2切克劳斯基法
2.1概论
2.2热场设计
2.2.1功率和生长速率
2.2.2界面形状和热应力
2.2.3氩气消耗和石墨降解
2.2.4产额提升
2.3连续加料
2.3.1数次加料
2.3.2镀膜坩埚
2.3.3大尺寸和连续生长
2.4改善晶体质量
2.5小结
参考文献
3区熔法
3.1概论
3.2原料棒
3.2.1西门子法和硅烷法
3.2.2切克劳斯基法
3.2.3颗粒状原料
3.3区熔法的掺杂
3.4技术限制
3.5二次区熔法
3.6区熔法的潜力
3.7小结
参考文献
4定向凝固法
4.1概论
4.2控制结晶过程
4.3晶体中的杂质
4.4凝固的三维效应
4.5小结
参考文献
5铸锭单晶硅
5.1概论
5.2小平面枝晶
5.3平行孪晶
5.4枝晶生长理论模型
参考文献
6亚晶界
6.1概论
6.2亚晶界的结构分析
6.3亚晶界的电学特性
6.4亚晶界的产生机理
6.5小结
参考文献
7带硅生长
7.1概论
7.2带硅技术的各种类型
7.2.1第I类带硅
7.2.1.1边缘限制薄膜生长
7.2.1.2线带
7.2.2第II类带硅
7.2.2.1衬底带硅生长
7.2.3技术比较
7.3材料特性和太阳能电池工艺
7.3.1耐火材料
7.3.2带硅材料特性
7.3.2.1边缘限制薄膜生长和线带
7.3.2.2衬底带硅生长
7.3.3带硅太阳能电池
7.3.3.1带硅的氢化
7.3.3.2太阳能电池工艺
7.4小结
参考文献
8球形硅
8.1概论
8.2过冷熔体的晶体生长
8.3枝晶的分裂
8.4一步滴管法
8.5小结
参考文献
9液相外延法
9.1概论
9.2生长动力学
9.3溶剂和衬底的优化
9.3.1溶剂的选择
9.3.2衬底表面的自生氧化物
9.4实验结果
9.4.1外延层厚度和生长速率
9.4.2外延层的掺杂和电学特性
9.5多晶硅衬底上的生长
9.5.1太阳能电池特性
9.6低温液相外延法
9.7异质衬底液相外延法
9.8外延横向过度生长
9.9高生产速率液相外延法
9.10小结
参考文献
10气相外延法
10.1概论
10.2理论分析
10.2.1流体力学
10.2.2生长动力学
10.2.2.1气体中气流和衬底上气流
10.2.2.2生长速率
10.2.2.3边界层模型
10.3实验方法
10.3.1SiH2Cl2/H2系统
10.3.2外延层的掺杂
10.3.2.1掺杂水平
10.3.2.2掺杂分布
10.4外延生长设备
10.5小结
参考文献
11闪光灯退火
11.1概论
11.2实验设备
11.3热扩散长度
11.4相变
11.5辐照度控制
11.6制备太阳能电池
11.7多晶硅薄膜的微结构
11.8小结
参考文献
12铝诱导层交换
12.1概论
12.2总体技术
12.3动力学分析
12.4结构特性和电学特性
12.5渗透膜的影响
12.6理论模型
12.7光伏应用
12.8小结
参考文献
13热化学数据库和动力学数据库
13.1概论
13.2热化学数据库
13.2.1热力学描述
13.2.1.1元素和化学计量化合物
13.2.1.2溶液
13.2.1.3溶解度
13.2.1.4平衡分布系数
13.2.1.5退缩性溶解度
13.2.2典型实例
13.3动力学数据库
13.3.1杂质扩散率
13.3.2典型实例
13.4应用热化学数据库和动力学数据库
13.4.1溶解度和分布系数
13.4.2表面张力
13.4.3多晶硅中杂质的晶界分凝
13.4.4确定洁净区宽度
13.5小结
参考文献
英汉索引
汉英索引
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