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褚君浩 编 / 科学出版社 / 2005-03 / 精装
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半导体科学与技术丛书:窄禁带半导体物理学
《半导体科学与技术丛书:窄禁带半导体物理学》主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质,包括晶体生长,能带结构,光学性质,晶格振动,自由载流子的激发、运输和复合,杂质缺陷,表面界面,二维电子气,超晶格和量子阱,器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。在窄禁带半导体物理研究过程中建立的新型实验方法及器件应用也在书中有所介绍。
《半导体科学与技术丛书:窄禁带半导体物理学》可供从事红外物理与技术研究的科技人员参考,也可供从事固体物理、半导体物理研究和教学的教师以及相关专业的研究生参考。
序前言第1章概述1.1窄禁带半导体1.2现代红外光电子物理1.2.1红外材料平台1.2.2红外物理规律1.2.3红外功能器件1.2.4红外技术应用参考文献第2章晶体2.1晶体生长的基本理论2.1.1引言2.1.2晶体生长热力学问题2.1.3晶体生长动力学问题2.1.4相图在晶体生长中的应用2.1.5分凝系数2.1.6凝固过程2.2体材料生长的主要方法2.2.1提拉法2.2.2布里奇曼方法2.2.3半熔法和Te溶剂法2.2.4固态再结晶方法2.3液相外延薄膜的生长2.3.1H91-xCdxTe液相外延生长条件2.3.2液相外延的生长程序2.3.3不同方式液相外延的比较2.3.4影响Hg1-xCdxTe液相外延层质量的几个因素2.4分子束外延薄膜生长2.4.1分子束外延生长过程……第3章能带结构第4章光学性质第5章输运性质第6章晶格振动第7章杂质缺陷第8章复合第9章表面二维电子气第10章超晶格和量子阱第11章器件物理
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图2
图3
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开播时间:09月02日 10:30