高压厚膜soi-ligbt器件关键技术电子、电工张龙孙伟锋刘斯扬等新华正版

本书作者科研团队过去8年攻克的高压厚膜soi-ligbt器件相关关键技术的成果结

作者: 张龙孙伟锋刘斯扬等
出版社: 人民邮电出版社
ISBN: 9787115584816
出版时间: 2023-07

版次: 1
装帧: 精装
开本: 16开
页数: 201页

作者: 张龙孙伟锋刘斯扬等
出版社: 人民邮电出版社
ISBN: 9787115584816

出版时间: 2023-07
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自然科学

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主编：

功率芯片“卡脖子”技术的重要突破；领域内国际领先原创成果的结；突出工程实践，书中内容已开始进行产业化；将对电力电子、智能家电、交通、机器人和物联网建设组建的国产化带来影响

目录：

章  绪论1
1.1  单片率芯片与厚膜soi工艺  1
1.1.1  单片率芯片  1
1.1.2  厚膜soi工艺  2
1.1.3  ligbt器件及其应用需求  3
1.2  高压厚膜soi-ligbt器件的研究现状  6
1.2.1  互连线技术  6
1.2.2  电流密度提升技术  7
1.2.3  短路鲁棒  8
1.2.4  关断鲁棒  10
1.2.5  快速关断技术  11
1.3  本书内容  12
参文献  13
第2章  高压厚膜soi-ligbt器件的基本  20
2.1  耐压  20
2.2  导通  22
2.3  关断  24
2.3.1  开关波形  24
2.3.2  关断的物理过程  26
2.4  短路过程与失效机理  27
参文献  32
第3章  高压厚膜soi-ligbt器件的互连线技术  33
3.1  hvi导致击穿电压下降的机理  33
3.2  等深双沟槽互连线技术  35
3.3  非等深双沟槽互连线技术  41
3.4  本章小结  49
参文献  50
第4章高压厚膜soi-ligbt器件的电流密度提升技术  51
4.1  电流密度与闩锁电压的折中关系  51
4.2  直角u型沟道技术  55
4.3  非直角u型沟道技术  60
4.4  本章小结  70
参文献  71
第5章高压厚膜soi-ligbt器件的鲁棒  73
5.1  关断鲁棒  73
5.1.1  多跑道并联soi-ligbt器件的非一致关断特  73
5.1.2  非一致关断行为的改进  83
5.2  短路鲁棒  84
5.2.1  双栅控制型器件及其短路能力  84
5.2.2  沟槽栅u型沟道器件的特  89
5.2.3  面栅与沟槽栅u型沟道器件的短路特对比  94
5.3  开启电流过冲与di/dt控制技术  104
5.3.1  u型沟道soi-ligbt器件的di/dt可控  104
5.3.2  预充电控制技术  106
5.4  击穿电压漂移现象  110
5.4.1  低温动态雪崩测试  111
5.4.2  动态雪崩稳定机理  113
5.4.3  优化策略讨论  118
5.5  本章小结  122
参文献  122
第6章高压厚膜soi-ligbt器件的快速关断技术  127
6.1  漂移区深沟槽技术  127
6.1.1  漂移区双沟槽器件及其关断特  127
6.1.2  漂移区三沟槽器件及其关断特  135
6.2  电压波形台的产生机理与消除技术  144
6.2.1  电压波形台的产生机理  145
6.2.2  电压波形台的消除技术  148
6.3  复合集电极技术  156
6.3.1  复合集电极结构与  157
6.3.2  复合集电极soi-ligbt器件的特  160
6.4  横向超结技术  165
6.4.1  横向超结的排列方式  166
6.4.2  关断过程电压波形分析  168
6.4.3  横向超结优化策略  174
6.5  阳极短路技术  178
6.5.1  结构和工作机理  178
6.5.2  电学特  183
6.6  本章小结  188
参文献  189
第7章高压厚膜soi-ligbt器件工艺流程与版图设计  193
7.1  工艺流程  193
7.2  版图设计  196
7.2.1  直条区域  196
7.2.2  拐角区域与hvi  197
7.2.3  跑道和隔离沟槽  197
参文献  198
符号、变量注释表  199
缩略语  201

内容简介：

单片率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片，其集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等，高压厚膜soi基横向igbt器件（高压厚膜soiligbt器件）在其中被用作开关器件，是该芯片中的核心器件，其能直接决定了芯片的可靠和功耗。本书共7章：介绍了厚膜soiligbt器件的工作，分析了器件的耐压、导通、关断；然后围绕高压厚膜soiligbt器件的关键技术，研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术，分析了u型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术；围绕高压厚膜soiligbt器件的鲁棒，研究了关断失效、短路失效、开启电流过充、低温特漂移；探讨了厚膜soiligbt器件的工艺和版图。本书内容基于过去8年单片率芯片国产化过程中的创新设计和工程实践积累进行编写，兼具理论启发和工程实用，适合功率半导体器件与集成电路领域内的科研、生产、教学人员阅读和参。

作者简介：

张龙2010年于中国矿业大学获学士，2013年、2018年于东南大学分别获硕士、博士，20182020年在东南大学从事博士后研究工作，目前为东南大学至善青年学者，副教授，博士生导师，博士曾入选2019年度中国电子学会博士。主要研究方向为功率半导体集成工艺及器件，开发了600v高功率密度厚膜绝缘体上硅bipolarcmosdmosigbt工艺，并实现了单片全集成率芯片的自主制备。孙伟锋2000年、2003年、2007年于东南大学分别获学士、硕士及博士，目前为东南大学首席教授，高层次人才，江苏省特聘教授，博士生导师。主要研究方向为功率半导体集成电路。刘斯扬2008年于合肥大学获学士，2011年、2015年于东南大学分别获硕士、博士，2015至2017年在东南大学从事博士后研究工作，目前为东南大学青年首席教授，高层次人才，博士生导师，博士曾入选2016年度中国电子学会博士。主要研究方向为功率半导体集成工艺、器件及可靠。
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