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杨铁军 编 / 知识产权出版社 / 2013-03 / 平装
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产业专利分析报告(第10册):功率半导体器件
《产业专利分析报告(第10册):功率半导体器件》是功率半导体器件行业的专利分析报告。报告从功率半导体器件行业的专利(国内、国外)申请、授权、申请人的已有专利状态、其他先进国家的专利状况、同领域领先企业的专利壁垒等方面入手,充分结合相关数据,展开分析,并得出分析结果。《产业专利分析报告(第10册):功率半导体器件》是了解功率半导体器件行业技术发展现状并预测未来走向,帮助企业做好专利预警的必备工具书。
第1章研究概述1.1技术概况1.1.1主要功率半导体器件的技术特点及应用1.1.2产业现状1.1.3行业需求1.2研究对象和方法1.2.1技术分解1.2.2数据检索1.2.3查全查准评估1.2.4数据处理1.2.5相关事项和约定第2章功率半导体器件领域专利分析2.1全球专利分析2.1.1发展趋势分析2.1.2首次申请国家/地区分析2.1.3目标国家/地区分析2.1.4申请人分析2.2中国专利分析2.2.1中国专利申请发展趋势分析2.2.2主要技术分析2.2.3专利申请的国别分析2.2.4专利申请的省市/地区区域分布2.2.5国内外申请人的类型分析2.2.6主要申请人分析2.3结论第3章IGBT领域专利申请分析3.1IGBT领域产业技术概况3.1.1技术概况3.1.2产业现状3.2全球专利申请现状3.2.1技术构成分析3.2.2IGBT结构的技术发展路线3.2.3首次申请国家/地区分析3.2.4目标国家/地区分析3.2.5申请人分析3.3中国专利申请现状3.3.1申请趋势分析3.3.2技术构成分析3.3.3技术功效分析3.3.4国外申请人区域分布分析3.3.5中国申请人区域分布分析3.3.6主要申请人分析3.3.7小结3.4结论3.4.1全球申请3.4.2中国申请第4章SiC器件专利申请分析4.1全球专利申请现状4.1.1申请趋势分析4.1.2技术生命周期分析4.1.3技术构成分析4.1.4申请人国家/地区分布4.1.5申请人分析4.2中国专利申请现状4.2.1申请趋势分析4.2.2技术构成分析4.2.3申请人分析4.3MOSFET栅氧化膜技术分析4.3.1发展路线分析4.3.2中国申请技术布局4.3.3未来需重点关注的相关申请4.4结论4.4.1全球申请状况4.4.2中国申请状况4.4.3MOSFET栅氧化膜技术第5章英飞凌公司专利申请分析5.1专利申请现状5.1.1申请量趋势分析……第6章ABB公司专利申请分析第7章重要专利筛选及分析第8章主要结论附录1重要专利列表附录2SiCMOSFET器件栅氧化膜技术未来需要关注的相关申请图索引表索引
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开播时间:09月02日 10:30