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[美]毕查德·拉扎维 著 / 西安交通大学出版社 / 2013-04 / 平装
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上书时间2020-03-07
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模拟CMOS集成电路设计
当代微电子系统广泛应用各种模拟CMOS集成电路。从音频、视频到无线、宽带通信以及计算机磁盘驱动,模拟CMOS设计已成为半导体工业竞争中成功的关键。对从事模拟电路设计技术人员的要求比以往任何时候都高。《国外名校最新教材精选:模拟CMOS集成电路设计(简编版)》提供了模拟CMOS集成电路分析和设计的一些新观点,可作为课堂教学和工业界培训的教材,内容既侧重基础,又侧重现代模拟电路中必需的新的范例。对模拟和混合信号集成电路中的许多重要概念。作者以直观、通俗易懂的语言逐步地启发读者对它们的理解。
毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。 拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员,在其中担任模拟小组委员会的主席。此外,他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。 拉扎维教授于1994年因为卓越的编辑能力获ISSCC的 Beatrice奖,1994年在欧洲固体电子会议上获最佳论文奖,1995年和1997年ISSCC的最佳专题小组奖,1997年TRW创新教学奖,1998年IEEE定制集成电路会议最佳论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版,1995)和《RF 微电子学》(Prentice Hall出版,1998)的作者,以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版,1996)的编者。
简编版前言原书作者简介原书中文版前言(中英文)译者序原书序致谢第1章模拟电路设计绪论1.1研究模拟电路的重要性1.2研究模拟集成电路的重要性1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性1.4本书的特点1.5电路设计的一般概念1.5.1抽象级别1.5.2鲁棒模拟电路设计1.5.3符号第2章MOS器件物理基础2.1基本概念2.1.1MOSFET开关2.1.2MOSFET的结构2.1.3MOS符号2.2MOS的I/V特性2.2.1阈值电压2.2.2I/V特性的推导2.3二级效应2.4MOS器件模型2.4.1MOS器件版图2.4.2MOS器件电容2.4.3MOS小信号模型2.4.4MOSSPICE模型2.4.5NMOS与PMOS器件的比较2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较附录A:用作电容器的MOS器件的特性习题第3章单级放大器3.1基本概念3.2共源级3.2.1采用电阻负载的共源级3.2.2采用二极管连接的负载的共源级3.2.3采用电流源负载的共源级3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级3.2.5带源极负反馈的共源级3.3源跟随器3.4共栅级3.5共源共栅级3.5.1折叠式共源共栅3.6器件模型的选择习题第4章差动放大器4.1单端与差动的工作方式4.2基本差动对4.2.1定性分析4.2.2定量分析4.3共模响应4.4MOS为负载的差动对4.5吉尔伯特单元习题第5章无源与有源电流镜5.1基本电流镜5.2共源共栅电流镜5.3有源电流镜5.3.1大信号分析5.3.2小信号分析5.3.3共模特性习题第6章放大器的频率特性6.1概述6.1.1密勒效应6.1.2极点与结点的关联6.2共源级6.3源跟随器6.4共栅级6.5共源共栅级6.6差动对附录A:密勒定理的对偶习题第7章运算放大器7.1概述7.1.1性能参数7.2一级运放7.3两级运放7.4增益的提高7.5性能比较7.6共模反馈7.7输入范围限制7.8转换速率7.9电源抑制7.10运放的噪声习题第8章稳定性与频率补偿8.1概述8.2多极点系统8.3相位裕度8.4频率补偿8.5两级运放的补偿8.5.1两级运放中的转换8.6其它补偿技术习题第9章带隙基准9.1概述9.2与电源无关的偏置9.3与温度无关的基准9.3.1负温度系数电压9.3.2正温度系数电压9.3.3带隙基准9.4PTAT电流的产生9.5恒定Gm偏置9.6速度与噪声问题9.7实例分析习题第10章开关电容电路导论10.1概述10.2采样开关10.2.1MOSFETs开关10.2.2速度问题10.2.3精度问题10.2.4电荷注入抵消一10.3开关电容放大器10.3.1单位增益采样器/缓冲器10.3.2同相放大器10.3.3精确乘2电路10.4开关电容积分器10.5开关电容共模反馈习题第11章版图与封装11.1版图概述11.1.1设计规则11.1.2天线效应11.2模拟电路的版图技术11.2.1叉指晶体管11.2.2对称性11.2.3参考源的分布11.2.4无源器件11.2.5连线11.2.6焊盘与静电放电保护11.3衬底耦合11.4封装习题原书英汉词汇对照
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开播时间:09月02日 10:30