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[日]麻蒔立男 著; 陈国荣 、 刘晓萌 、 莫晓亮 译 / 化学工业出版社 / 2009-05 / 平装
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薄膜制备技术基础
本书较为系统、全面地介绍了与薄膜制备技术相关的各种基础知识,涉及了薄膜制备系统、典型的物理制膜与化学制膜方法、薄膜加工方法,以及常用的薄膜性能表征技术,同时紧密结合当前薄膜领域最先进的技术、方法和装置。
原外版书作者长期在薄膜科学与技术领域从事研究、开发和教育工作,有丰富的工作经验与广博的专业知识。本书自初版以来,已有三十余年,迄今已4次再版,反映了本书在这一领域具有较为深远的影响。
本书的内容丰富,由浅入深,对于材料科学、微电子专业学生而言是一本良好的基础教材;对于在这一领域学习、工作的人员而言,具有很好的参考价值。
第1章薄膜技术1.1生物计算(biocomputing)和薄膜技术1.2医用微型机械1.3人工脑的实现(μElectronics)1.4大型显示的实现1.5原子操控1.6薄膜技术概略参考文献第2章真空的基础2.1真空的定义2.2真空的单位2.3气体的性质2.3.1平均速率Va2.3.2分子直径δ2.3.3平均自由程L2.3.4碰撞频率Z2.4气体的流动和流导2.4.1孔的流导2.4.2长管的流导(L/a≥100)2.4.3短管的流导2.4.4流导的合成2.5蒸发速率参考文献第3章真空泵和真空测量3.1真空泵3.1.1油封式旋片机械泵3.1.2油扩散泵3.1.3吸附泵3.1.4溅射离子泵3.1.5升华泵3.1.6冷凝泵3.1.7涡轮泵(分子泵)和复合涡轮泵3.1.8干式机械泵3.2真空测量仪器——全压计3.2.1热导型真空计3.2.2电离真空计——电离规3.2.3磁控管真空计3.2.4盖斯勒(Geissler)规管3.2.5隔膜真空计3.2.6石英晶振真空计3.2.7组合式真空规3.2.8真空计的安装方法3.3真空测量仪器——分压计3.3.1磁偏转型质谱仪3.3.2四极质谱仪3.3.3有机物质质量分析IAMS法参考文献第4章真空系统4.1抽气的原理4.2材料的放气4.3抽气时间的推算4.4用于制备薄膜的真空系统4.4.1残留气体4.4.2用于制备薄膜的真空系统4.5真空检漏4.5.1检漏方法4.5.2检漏应用实例参考文献第5章薄膜基础5.1气体与固体5.1.1化学吸附和物理吸附5.1.2吸附几率和吸附(弛豫)时间5.2薄膜的生长5.2.1核生长5.2.2单层生长5.3外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系5.3.1外延生长的温度5.3.2基板晶体的解理5.3.3真空度的影响5.3.4残留气体的影响5.3.5蒸发速率的影响5.3.6基板表面的缺陷——电子束照射的影响5.3.7电场的影响5.3.8离子的影响5.3.9膜厚的影响5.3.10晶格失配5.4非晶膜层5.4.1一般材料的非晶化(非薄膜)5.4.2非晶的定义5.4.3非晶薄膜5.4.4非晶Si膜的多晶化5.5薄膜的基本性质5.5.1电导5.5.2电阻率的温度系数(TCR)5.5.3薄膜的密度5.5.4时效变化5.5.5电解质膜5.6薄膜的内部应力5.7电致徙动本章小结参考文献第6章薄膜的制备方法6.1绪论6.2源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分6.2.1蒸发和离子镀6.2.2溅射法6.3附着强度6.3.1前处理6.3.2蒸发时的条件6.3.3蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况)6.3.4蒸发、离子淀积、溅射的比较(加热、离子轰击等都进行情况)6.4台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备6.5高速热处理装置(RapidThermalAnnealing,RTA)6.6等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用6.6.1等离子体6.6.2等离子体的产生方法6.6.3基本形式和主要用途6.7基板传送机构6.8针孔和净化房参考文献第7章基板7.1玻璃基板及其制造方法7.2日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长7.3单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长7.3.1坩埚中冷却法7.3.2区熔法(ZoneMelting,FlotZone,FZ法)7.3.3旋转提拉法(切克劳斯基Czochralski,CZ法)7.4气相生长法7.4.1闭管中的气相生长法7.4.2其他气相生长法7.5石英玻璃基板7.6柔性基板(Flexible)参考文献第8章蒸镀法8.1蒸发源8.1.1电阻加热蒸发源8.1.2热阴极电子束蒸镀源8.1.3中空阴极放电(HCD)的电子束蒸发源8.2蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置8.3实际装置8.4蒸镀时的真空度8.5蒸镀实例8.5.1透明导电膜In2O3SnO2系列8.5.2分子束外延(MBE)8.5.3合金的蒸镀——闪蒸8.6离子镀8.6.1离子镀的方式8.6.2对薄膜的影响8.7离子束辅助蒸镀8.8离子渗,离子束表面改性法8.9激光烧蚀法(PLA)8.10有机电致发光,有机(粉体)材料的蒸镀参考文献第9章溅射9.1溅射现象9.1.1离子的能量和溅射率,出射角分布9.1.2溅射率9.1.3溅射原子的能量9.2溅射方式9.2.1磁控溅射9.2.2ECR溅射9.2.3射频溅射9.3大电极磁控溅射9.4“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋9.4.1准直溅射9.4.2长距离溅射9.4.3高真空溅射9.4.4自溅射9.4.5离子化溅射9.5溅射的实例9.5.1钽(Ta)的溅射9.5.2Al及其合金的溅射(超高真空溅射)9.5.3氧化物的溅射:超导电薄膜和ITO透明导电薄膜9.5.4磁性膜的溅射9.5.5光学膜的溅射(RAS法)参考文献第10章气相沉积CVD和热氧化氮化10.1热氧化10.1.1处理方式10.1.2热氧化装置10.1.3其他氧化装置10.2热CVD10.2.1主要的生成反应10.2.2热CVD的特征10.2.3热CVD装置10.2.4反应炉10.2.5常压CVD(NormalPressureCVD,NPCVD)10.2.6减压CVD(LowPressureCVD,LPCVD)10.3等离子体增强CVD(PlasmaEnhancedCVD,PCVD)10.3.1等离子体和生成反应10.3.2装置的基本结构和反应室的电极构造10.4光CVD(PhotoCVD)10.5MOCVD(MetalorganicCVD)10.6金属CVD10.6.1钨CVD10.6.2AlCVD10.6.3CuCVD10.6.4金属阻挡层(TiNCVD)10.7半球状颗粒多晶硅CVD(HSGCVD)10.8高介电常数薄膜的CVD10.9低介电常数薄膜10.10高清晰电视机的难关,低温多晶硅膜(CatCVD)10.11游离基喷淋CVD(RadicalShowerCVD,RSCVD)参考文献第11章刻蚀11.1湿法刻蚀11.2等离子体刻蚀,激发气体刻蚀(圆筒型刻蚀)11.2.1原理11.2.2装置11.2.3配套工艺11.3反应离子刻蚀、溅射刻蚀(平行平板型,ECR型,磁控型刻蚀)11.3.1原理和特征11.3.2装置11.3.3配套工艺11.3.4Cu和低介电材料(lowK)的刻蚀11.4大型基板的刻蚀11.5反应离子束刻蚀,溅射离子束刻蚀(离子束型刻蚀)11.5.1极细离子束设备(聚焦离子束:FocusedIonBeam,FIB)11.6微机械加工11.7刻蚀用等离子体源的开发11.7.1等离子体源11.7.2高密度等离子体(HDP)刻蚀参考文献第12章精密电镀12.1电镀12.2电镀膜的生长12.3用于制作电子元器件方面的若干方法12.4用于高技术的铜电镀12.5实用的电镀装置示例参考文献第13章平坦化技术13.1平坦化技术的必要性13.2平坦化技术概要13.3平坦薄膜生长13.3.1选择性生长13.3.2利用回填技术的孔内嵌埋(溅射)13.3.3利用氧化物嵌埋技术的平坦化13.4薄膜生长过程中凹凸发生的防止13.4.1偏压溅射法13.4.2剥离法13.5薄膜生长后的平坦化加工13.5.1涂覆13.5.2激光平坦化13.5.3回填法13.5.4回蚀法13.5.5阳极氧化和离子注入13.6嵌埋技术示例13.7化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)技术13.8嵌刻法13.9平坦化新技术展望13.9.1使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术13.9.2用STP(SpinCoatingFilmTransferandPressing)法的嵌埋技术13.10高密度微细连接参考文献
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开播时间:09月02日 10:30