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陆大成 、 段树坤 著 / 科学出版社 / 2009-05 / 精装
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金属有机化合物气相外延基础及应用
《金属有机化合物气相外延基础及应用(精)》可供从事半导体科研和生产的科研人员、大专院校教师和研究生使用。金属有机化合物气相处延(MOVPE)技术是制备化合物半导体异质结、低维结构材料,以及生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法。《金属有机化合物气相外延基础及应用(精)》是国内第一本全面系统地介绍MOVPE的专著,从理论和实践两个方面分别论述了该技术的生长系统和原材料特性等实验基础、MOVPE生长热力学、化学反应动力学和输运现象等理论基础。在此基础上系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料生长及其量子阱、量子点等低维结构的MOVPE生长,以及在光电器件和电子器件方面的应用。书中附有大量参考文献,以便读者进一步参考。
前言第1章绪论1.1外延生长1.2MOVPE概述参考文献第2章MOVPE生长系统2.1MOVPE气体输运分系统2.2MOVPE生长反应室分系统2.3MOVPE尾气处理分系统2.4MOVPE生长控制装置分系统2.5MOVPE外延层生长的原位监测参考文献第3章原材料3.1金属有机化合物源3.2氢化物源参考文献第4章MOVPE的热力学分析4.1外延生长速度的限制机构4.2MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系4.3MOVPE生长相图与单凝聚相生长区4.4掺杂参考文献第5章MOVPE化学反应动力学和质量输运5.1MOVPE化学反应动力学5.2MOVPE反应室内的输运现象与模型化5.3MOVPE化学反应一输运模型的应用参考文献第6章MOVPE的表面过程6.1表面成核6.2外延生长模式6.3MOVPE环境下的表面再构6.4表面活性剂参考文献第7章Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的MOVPE生长7.1GaAs及其固溶体的MOVPE生长7.2InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长7.3锑化物的MOVPE生长7.4氮化物的MOVPE生长7.5选择外延生长和非平面衬底上的外延生长7.6Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半导体的MOVPE生长参考文献第8章Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的MOVPE生长8.1ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长8.2ZnO及其固溶体的MOVPE生长8.3HgCdTe的MOVPE生长参考文献第9章低维半导体材料的MOVPE生长9.1量子阱结构的MOVPE生长9.2量子点和量子线结构的生长参考文献第10章MOVPE技术在半导体器件方面的应用10.1发光二极管10.2激光器10.3太阳能电池10.4半导体光探测器10.5高电子迁移率场效应晶体管10.6异质结双极晶体管10.7光电集成电路参考文献后记
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开播时间:09月02日 10:30