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[法] 齐亚 (Sonia Ben Dhia)、[法] 齐亚 王洪博 / 电子工业出版社 / 2010-04 / 平装
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集成电路的电磁兼容:低发射、低敏感度技术
《集成电路的电磁兼容:低发射、低敏感度技术》的宗旨是综述集成电路的电磁兼容现象,介绍最新的EMC测量方法和EMC建模方法。《集成电路的电磁兼容:低发射、低敏感度技术》给出了集成电路辐射和敏感度的历史与现状、基本概念及原理,并通过各种案例给出了详细的建模方法、测量方法,以及一些企业和科研实验室的仿真与测量结果,有助于集成电路和电子系统设计人员减少IC和电子系统的寄生发射,以及对射频干扰的敏感度。
《集成电路的电磁兼容:低发射、低敏感度技术》是在集成电路的EMC方面的专门的信息汇总,希望能够为广大集成电路电磁兼容的专家、学者、设计工程师、电子工程学爱好者提供帮助。
第1章集成电路电磁兼容的基本概念1.集成电路的电磁兼容1.1芯片内的EMC1.2外部耦合的EMC2.集成电路的电磁兼容测量基础2.1骚扰测量2.2抗扰度试验3.IC的EMC模型4.总结5.参考文献第2章历史与现状1.早期的研究工作2.1990一1995年间ICS在集成电路EMC方面的研究3.集成电路的敏感度(从1995年开始)4.集成电路的寄生发射5.集成电路EMC的标准化5.1测量方法5.2器件的EMC模型5.3趋于融合6.特别事件和出版物7.IC的发展历程8.封装蓝图9.EMC问题10.总结11.参考文献12.参考标准第3章基础和理论——EMC现象的数学背景1.基本电磁场理论1.1电磁辐射的物理概念1.2电偶极子的计算公式1.3磁场环的辐射1.4辐射功率1.5讨论2.傅里叶分析3.传输线3.1传输线模型3.2电报方程3.3信号在无损耗线路上的传播3.4负载条件3.5集成电路中的传输线3.6史密斯图4.RLC表达式4.1介绍4.2分布式模型和集总模型4.3集总模型的限制4.4趋肤效应4.5互连线5.S参数5.1S参数的影响5.2S参数的定义5.3S1l,S12,S2l和S22的测量5.4S矩阵的特性5.5S参数的测量6.总结7.参考文献第4章测量方法——集成电路的发射和敏感度1.简介2.TEM/GTEM小室方法2.1简述2.2TEM小室内IC发射测量的配置2.3使用TEM小室测量微处理器的辐射2.4GTEMFEM小室的高频变体2.5不同小室测量结果的相关性3.近场扫描方法3.1扫描仪和定位系统3.2近场扫描使用的探头3.3集成电路发射3.4讨论4.1D/150Q传导法5.工作台法拉第笼法5.1WBFC方法的适用范围5.2工作台法拉第笼法的基本观念5.3功率匹配5.4耦合去耦网络5.5测量5.6讨论6.大电流注人法(BCI)6.1IRF输入系统的校准6.2测试配置6.3干扰6.4.:BCI测试算法6.5不合格判据检测6.6PCB和其他硬件设置6.7BCI测试结果7.直接功率注入法(DPI)7.1DPI测试算法7.2DPI测试结果8.集成电路的瞬态抗扰度8.1动机8.2耦合路径8.3瞬态抗扰度环境8.4集成电路的测试方法8.5新兴的Ic测试方法8.6讨论9.电波暗室内的发射和抗扰度测试9.1IC的远场发射9.2测量IC的远场电场9.3电波暗室内的发射测量9.4Ic辐射的抗扰度测试9.5电波暗室内的抗扰度测试9.6混响室内的发射和抗扰度测试9.7讨论10.片上测量10.1片上示波器11.集成电路的EMC测试计划11.1标准发射电平11.2抗扰度电平12.讨论和总结13.参考文献第5章EMC建模——集成电路中骚扰发射和抗扰度现象的建模概览1.静电放电模型1.1简介1.2ESD测试模型1.3人体模型(HBM)1.4机器模型(MM)1.5带电器件模型(CDM)1.6传输线脉冲模型(TLP)2.内部电流整流2.1起因2.2寄生发射的基本原理3.印制电路板模型3.1PCB概述3.2PCB的标准形状和特征4.封装4.1标准Ic封装技术4.2等效封装电路的计算4.3例1:中等功率IC封装4.4例2:Cesame芯片封装5.发射模型5.1简介5.2ICEM模型5.3IBIS模型5.4IMIC模型——集成电路的I/O界面模型5.5IECCS模型:线性等效电路和电流源模型6.输入/{俞出模型6.1简介6.2I/O的模块描述6.3缓冲器模型6.4I/O模块模型6.5LECCS—I/O模型7.抗扰模型7.1简介7.2仿真模型元素的介绍7.3仿真的设置7.4失败判据的定义7.5仿真与测量结果的比较7.6抗扰LECCS模型7.7内部抗扰分析……第6章案例研究——EMC测试芯片、低发射的微控制器第7章准则——用于改进EMC的规程附录
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图2
图3
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开播时间:09月02日 10:30