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[美] 夸克 著; 韩郑生 译 / 电子工业出版社 / 2004-01 / 平装
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定价 ¥55.00
品相 八五品品相描述
上书时间2020-07-16
半导体制造技术
在半导体领域,技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏,是以月而不是以年为单位计的。本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料,学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的最全面、最先进的教材。全书共分20章,章节根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排,内容包括:与半导体制作相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具本讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材,也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
第1章半导体产业介绍目标1.1引言1.2产业的发展1.3电路集成1.4集成电路制造1.5半导体趋势1.6电子时代1.7在半导体制造业中的职业1.8小结第2章半导体材料特性目标2.1引言2.2原子结构2.3周期表2.4材料分类2.5硅2.6可选择的半导体材料2.7小结第3章器件技术目标3.1引言3.2电路类型3.3无源元件结构3.4有源元件结构3.5CMOS器件的闩锁效应3.6集成电路产品3.7小结第4章硅和硅片制备目标4.1引言4.2半导体级硅4.3晶体结构4.4晶向4.5单晶硅生长4.6硅中的晶体缺陷4.7硅片制备4.8质量测量4.9外延层4.10小结第5章半导体制造中的化学品目标5.1引言5.2物质形态5.3材料的属性5.4工艺用化学品5.5小结第6章硅片制造中的沾污控制目标6.1引言6.2沾污的类型6.3沾污的源与控制6.4硅片湿法清洗6.5小结第7章测量学和缺陷检查目标7.1引言7.2集成电路测量学7.3质量测量7.4分析设备7.5小结第8章工艺腔内的气体控制目标8.1引言8.2真空8.3真空泵8.4工艺腔内的气流8.5残气分析器8.6等离子体8.7工艺腔的沾污8.8小结第9章集成电路制造工艺概况目标9.1引言9.2CMOS工艺流程9.3CMOS制作步骤9.4小结第10章氧化目标10.1引言10.2氧化膜10.3热氧化生长10.4高温炉设备10.5卧式与立式炉10.6氧化工艺10.7质量测量10.8氧化检查及故障排除10.9小结第11章淀积目标11.1引言11.2膜淀积11.3化学气相淀积11.4CVD淀积系统11.5介质及其性能11.6旋涂绝缘介质11.7外延11.8CVD质量测量11.9CVD检查及故障排除11.10小结第12章金属化目标12.1引言12.2金属类型12.3金属淀积系统12.4金属化方案12.5金属化质量测量12.6金属化检查及故障排除12.7小结第13章光刻:气相成底膜到软烘目标13.1引言13.2光刻工艺13.3光刻工艺的8个基本步骤13.4气相成底膜处理13.5旋转涂胶13.6软烘13.7光刻胶质量测量13.8光刻胶检查及故障排除13.9小结第14章光刻:对准和曝光目标14.1引言14.2光学光刻14.3光刻设备14.4混合和匹配14.5对准和曝光质量测量14.6对准和曝光检查及故障排除14.7小结第15章光刻:光刻胶显影和先进的光刻技术目标15.1引言15.2曝光后烘焙15.3显影15.4坚膜15.5显影检查15.6先进的光刻技术15.7显影质量测量15.8显影检查及故障排除15.9小结第16章刻蚀目标16.1引言16.2刻蚀参数16.3干法刻蚀16.4等离子体刻蚀反应器16.5干法刻蚀的应用16.6湿法腐蚀16.7刻蚀技术的发展历程16.8去除光刻胶16.9刻蚀检查16.10刻蚀质量测量16.11干法刻蚀检查及故障排除16.12小结第17章离子注入目标17.1引言17.2扩散17.3离子注入17.4离子注入机17.5离子注入在工艺集成中的发展趋势17.6离子注入质量测量17.7离子注入检查及故障排除17.8小结第18章化学机械平坦化目标18.1引言18.2传统的平坦化技术18.3化学机械平坦化18.4CMP应用18.5CMP质量测量18.6CMP检查及故障排除18.7小结第19章硅片测试目标19.1引言19.2硅片测试19.3测试质量测量19.4测试检查及故障排除19.5小结第20章装配与封装目标20.1引言20.2传统装配20.3传统封装20.4先进的装配与封装20.5封装与装配质量测量20.6集成电路封装检查及故障排除20.7小结附录A化学品及安全性附录B净化间的沾污控制附录C单位附录D作为氧化层厚度函数的颜色附录E光刻胶化学的概要附录F刻蚀化学术语表
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开播时间:09月02日 10:30