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  • 模拟CMOS集成电路设计:简编版

模拟CMOS集成电路设计:简编版

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  • 作者: 
  • 出版社:   西安交通大学出版社
  • ISBN:   9787560550817
  • 出版时间: 
  • 版次:   1
  • 装帧:   平装
  • 开本:   16开
  • 纸张:   胶版纸
  • 页数:   335页
  • 作者: 
  • 出版社:  西安交通大学出版社
  • ISBN:  9787560550817
  • 出版时间: 
  • 版次:  1
  • 装帧:  平装
  • 开本:  16开
  • 纸张:  胶版纸
  • 页数:  335页

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  • 商品详情
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  • 商品分类:
    工程技术
    货号:
    二楼
    商品描述:
    模拟CMOS集成电路设计(简编版)(国外名校教材精选)

    定价:55.00元

    作者:(美)毕查德?拉扎维

    出版社:西安交通出版社

    出版日期:2013-04-01

    ISBN:9787560550817

    字数:

    页码:

    版次:

    装帧:平装

    开本:16开

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    编辑推荐

     

     

     

    内容提要

     

     

     

      本书是在拉扎维原著《模拟CMOS集成电路设计》基础上,为满足一些高校不同的教学要求和教学时数的需要,删减部分章节重新编排而成。全书11章,主要介绍MOS器件的基本物理原理和工作原理;单级和差动级放大器以及电流镜;频率响应;运放设计及稳定性;带隙基准与开关电容电路;版图与封装。
      本书是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。适合学时较少的与集成电路领域有关的各电类专业高年级本科生使用,也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。

     

    目录

     

     

     

    简编版前言
    原书作者简介
    原书中文版前言(中英文)
    译者序
    原书序
    致谢
    章 模拟电路设计绪论
    1.1 研究模拟电路的重要性
    1.2 研究模拟集成电路的重要性
    1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
    1.4 本书的特点
    1.5 电路设计的一般概念
    1.5.1 抽象级别
    1.5.2 鲁棒模拟电路设计
    1.5.3 符号

    第2章 MOS器件物理基础
    2.1 基本概念
    2.1.1 MOSFET开关
    2.1.2 MOSFET的结构
    2.1.3 MOS符号
    2.2 MOS的I/V特性
    2.2.1 阈值电压
    2.2.2 I/V特性的推导
    2.3 二级效应
    2.4 MOS器件模型
    2.4.1 MOS器件版图
    2.4.2 MOS器件电容
    2.4.3 MOS小信号模型
    2.4.4 MOS SPICE 模型
    2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较
    2.4.6 长沟道器件与短沟道器件的比较
    附录A:用作电容器的MOS器件的特性
    习题

    第3章 单级放大器
    3.1 基本概念
    3.2 共源级
    3.2.1 采用电阻负载的共源级
    3.2.2 采用二极管连接的负载的共源级
    3.2.3 采用电流源负载的共源级
    3.2.4 工作在线性区的MOS为负载的共源级
    3.2.5 带源极负反馈的共源级
    3.3 源跟随器
    3.4 共栅级
    3.5 共源共栅级
    3.5.1 折叠式共源共栅
    3.6 器件模型的选择
    习题

    第4章 差动放大器
    4.1 单端与差动的工作方式
    4.2 基本差动对
    4.2.1 定性分析
    4.2.2 定量分析
    4.3 共模响应
    4.4 MOS为负载的差动对
    4.5 吉尔伯特单元
    习题

    第5章 无源与有源电流镜
    5.1 基本电流镜
    5.2 共源共栅电流镜
    5.3 有源电流镜
    5.3.1 大信号分析
    5.3.2 小信号分析
    5.3.3 共模特性
    习题

    第6章 放大器的频率特性
    6.1 概述
    6.1.1 密勒效应
    6.1.2 极点与结点的关联
    6.2 共源级
    6.3 源跟随器
    6.4 共栅级
    6.5 共源共栅级
    6.6 差动对
    附录A:密勒定理的对偶
    习题

    第7章 运算放大器
    7.1 概述
    7.1.1 性能参数
    7.2 一级运放
    7.3 两级运放
    7.4 增益的提高
    7.5 性能比较
    7.6 共模反馈
    7.7 输入范围限制
    7.8 转换速率
    7.9 电源抑制
    7.10 运放的噪声
    习题

    第8章 稳定性与频率补偿
    8.1 概述
    8.2 多极点系统
    8.3 相位裕度
    8.4 频率补偿
    8.5 两级运放的补偿
    8.5.1 两级运放中的转换
    8.6 其它补偿技术
    习题

    第9章 带隙基准
    9.1 概述
    9.2 与电源无关的偏置
    9.3 与温度无关的基准
    9.3.1 负温度系数电压
    9.3.2 正温度系数电压
    9.3.3 带隙基准
    9.4 PTAT 电流的产生
    9.5 恒定Gm偏置
    9.6 速度与噪声问题
    9.7 实例分析
    习题

    0章 开关电容电路导论
    10.1 概述
    10.2 采样开关
    10.2.1 MOSFETs开关
    10.2.2 速度问题
    10.2.3 精度问题
    10.2.4 电荷注入抵消
    10.3 开关电容放大器
    10.3.1 单位增益采样器/缓冲器
    10.3.2 同相放大器
    10.3.3 乘2电路
    10.4 开关电容积分器
    10.5 开关电容共模反馈
    习题

    1章 版图与封装
    11.1 版图概述
    11.1.1 设计规则
    11.1.2 天线效应
    11.2 模拟电路的版图技术
    11.2.1 叉指晶体管
    11.2.2 对称性
    11.2.3 参考源的分布
    11.2.4 无源器件
    11.2.5 连线
    11.2.6 焊盘与静电放电保护
    11.3 衬底耦合
    11.4 封装
    习题

    原书英汉词汇对照

     

    作者介绍

     

     

     

      毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工的电气工程系获得理学学士,并分别于1988年和1992年在斯坦福电气工程系获得理学硕士和博士。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加州洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
      拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员,在其中担任模拟小组委员会的主席。此外,他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。
      拉扎维教授于1994年因为的编辑能力获ISSCC的Beatrice奖,1994年在欧洲固体电子会议上获*奖,1995年和1997年ISSCC的*专题小组奖,1997年TRW创新教学奖,1998年IEEE定制集成电路会议*奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版,1995)和《RF微电子学》(PrenticeHall出版,1998)的作者,以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版,1996)的编者。

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