成功加入购物车

去购物车结算 X
技术专业书店
  • 阻变存储器基于1D1R单元的3D RRAM

阻变存储器基于1D1R单元的3D RRAM

举报
  • 作者: 
  • 出版社:   科学出版社
  • ISBN:   9787030414991
  • 出版时间: 
  • 版次:   1
  • 印刷时间:   2014-08
  • 印数:   1千册
  • 装帧:   平装
  • 开本:   16开
  • 页数:   121页
  • 作者: 
  • 出版社:  科学出版社
  • ISBN:  9787030414991
  • 出版时间: 
  • 版次:  1
  • 印刷时间:  2014-08
  • 印数:  1千册
  • 装帧:  平装
  • 开本:  16开
  • 页数:  121页

售价 290.00

品相 九五品

优惠 满包邮

运费

上书时间2015-09-01

数量
库存13
微信扫描下方二维码
微信扫描打开成功后,点击右上角”...“进行转发

卖家超过10天未登录

  • 商品详情
  • 店铺评价
  • 商品分类:
    综合性图书
    商品描述:
    这是全套资料,不是简单的一本书。

    此套资料包含:正版书籍(1本)+独家内部资料(1张)+包邮费=290元   货到付款

    本套资料几乎涵盖了市面上全部最新资料  明细如下:

    (1)《阻变存储器——器件、材料、机理、可靠性及电路》正版图书
    (2)《最新阻变存储器技术内部资料汇编》正版光盘(1张),有2000多页内容,独家资料

    客服热线:010-57923471(客服一线)010-57923795(客服二线) 值班手机:13661141674 QQ:523365451
    全国大中型600多个城市可以货到付款!您收到时请将货款直接给送货人员,让您买的放心。


    具体介绍目录如下:
    (1)《阻变存储器——器件、材料、机理、可靠性及电路》正版图书
    《阻变存储器——器件、材料、机理、可靠性及电路》系统总结、归纳和对比了近来国际上以及林教授组在阻变存储器核心技术上研究的最新成果以及发展趋势,如阻变存储器材料、机理、器件、电路设计,内容非常深入和系统完整。《阻变存储器——器件、材料、机理、可靠性及电路》会对大陆的研究者深入了解阻变存储器这一国际热点研究领域的进展、发展轨迹、聚焦问题以及当前的走势。
    前言
    第1章 RRAM概述 
     参考文献 
    第2章 2D RRAM的存储单元结构 
     2.1 1T1R单元
      2.1.1 单元结构
      2.1.2 单极和双极操作
     2.2 采用二极管作为选通器件的单元
      2.2.1 单极操作的1D1R单元
      2.2.2 采用双向二极管作为选通器件的RRAM单元
     2.3 自整流RRAM单元
      2.3.1 混合型RRAM存储单元
      2.3.2 互补型RRAM器件
     参考文献
    第3章 RRAM的阻变机理
     3.1 导电细丝的类型及其相应的阻变过程 
      3.1.1 金属导电丝型RRAM  
      3.1.2 氧空位导电丝RRAM  
     3.2 RRAM的FORMING过程
     3.3 导电细丝的微缩化及其对性能的影响
      参考文献
    第4章 影响RRAM读写性能的主要因素和优化方法
     4.1 降低RESET电流的方法
      4.1.1 构建多层结构
      4.1.2 通过控制限流降低功耗
     4.2 操作算法提高RRAM读写特性
      4.2.1 自适应写操作算法提高写成功率和Roff/Ron窗口
      4.2.2 操作算法提高参数一致性
     4.3 工艺方法提高读写参数一致性 
      4.3.1 电极效应
      4.3.2 插入缓冲层和构建双层结构
      4.3.3 嵌入金属来控制导电通路
     参考文献 
    第5章 RRAM的可靠性
     5.1 保持特性当前的测试方法
     5.2 保持特性的模型和改善方法 
      5.2.1 RRAM保持特性失效模型
      5.2.2 通过形成高密度的氧空位CF改善保持特性
      5.2.3 通过动态自适应写操作算法改善保持特性
     5.3 耐久性模型和改善方法
      5.3.1 耐久性失效模型 
      5.3.2 高耐久性的器件结构 
      5.3.3 通过编程算法提高耐久性 
     参考文献 
    第6章 提高RRAM读写速度及带宽的电路技术
     6.1 提高读速度的电路技术
      6.1.1 基于反馈调节的位线偏压方案 
      6.1.2 PTADB方案 
     6.2 提高读带宽的电路技术
      6.2.1 片上所有sA同时工作 
      6.2.2 交替页访问并结合DDR接口输出 
     6.3 加快写速度及带宽的电路技术
     参考文献 
    第7章 提高RRAM读写良率和可靠性的电路技术 
     7.1 提高读良率的电路技术
      7.1.1 PSRC方案 
      7.1.2 SARM方案 
      7.1.3 BDD-CSA方案 
      7.1.4 TABB方案 
      7.1.5 SSC-CSA方案 
     7.2 提高写良率降低写功耗的电路技术 
      7.2.1 自适应写模式 
      7.2.2 带反馈的自定时写方案 
     7.3 提高耐久性和保持特性的电路技术 
      7.3.1 两步FORMING方案
      7.3.2 阻值验证写方案 
      7.3.3 动态自适应写方法 
     参考文献 
    第8章 3D RRAM集成及电路技术
     8.1 传统交叉点架构的漏电通路及功耗问题 
     8.2 基于lTXR的3D RRAM 
      8.2.1 lTXR单元及阵列架构
      8.2.2 克服写干扰的编程算法
      8.2.3 克服读干扰的措施
     8.3 基于1D1R单元的3D RRAM 
      8.3.1 阵列架构 
      8.3.2 可以补偿漏电流来精确检测阻态变化的写电路技术
      8.3.3 采用位线电容隔离来加快sA翻转的读电路
     8.4 采用双向二极管作为选通器件的3D RRAM
      8.4.1 阵列架构 
      8.4.2 lBDlR阵列的编程条件 
      8.4.3 采用冗余单元的多位写架构 
     8.5 具有较低光刻成本的竖直3D堆叠方式 
      8.5.1 单元和阵列的截面图
      8.5.2 光刻方面的成本优势
     参考文献
    (2)《各种阻变存储器技术内部资料汇编》正版光盘(1张),有2000多页内容,独家资料

    1  阻变存储器及其制备方法
    2  一种阻变存储器及其制备方法
    3  一种阻变存储器及其制备方法
    4  三维多层阻变存储器
    5  一种三维交叉阵列透明阻变存储器及其制备方法
    6  一种基于石墨烯氧化物的阻变随机存储器及其制备方法
    7  一种基于翻转编码电路的阻变存储器及相应数据存储方法
    8  一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法
    9  一种自选通阻变存储器单元及其制备方法
    10  一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
    11  一种稀土氧化物作为存储层的全透明阻变存储器及其制作方法
    12  一种小尺寸超薄阻变存储器及其制备方法
    13  一种基于石墨烯氧化物的阻变随机存储器
    14  一种多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法
    15  柔性阻变存储器、单元结构及制备方法
    16  一种阻变存储器及其制备方法
    17  一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法
    18  一种阻变随机存储器存储阵列编程方法及装置
    19  一种阻变存储器写操作电路
    20  一种阻变存储器读出电路
    21  一种阻变存储器存储单元的多值操作方法
    22  一种对阻变存储器阵列进行测试的系统
    23  一种分析阻变存储器电流波动性的方法
    24  一种有机无机复合阻变存储器及其制备方法
    25  一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法
    26  一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法
    27  一种测量阻变存储器状态密度的方法
    28  具有双间隔件的一晶体管和一阻变随机存取存储器的结构
    29  一种阻变存储器的制备方法
    30  一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器
    31  一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
    32  一种降低阻变存储器电铸电压的方法
    33  一种测量阻变存储器激活能的方法
    34  一种多级阻变存储器单元及其制备方法
    35  一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法
    36  一种阻变存储器结构及其制备方法
    37  一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器及其制备方法
    38  阻变存储器中钨氧化物变阻材料的制备方法
    39  一种阻变存储器及其复位操作方法
    40  阻变存储器
    41  一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法
    42  一种可实现多值存储的阻变存储器
    43  一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法
    44  高一致性低功耗阻变存储器及制备方法
    45  高一致性的阻变存储器结构及其制备方法
    46  具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
    47  一种肖特基特性自整流阻变存储器
    48  一种高一致性的阻变存储器及其制备方法
    49  阻变存储器单元及其制造方法
    50  一种基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器及其制备方法
    51  一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法
    52  一种阻变存储器的制备方法
    53  1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法
    54  超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法
    55  用于WOx阻变存储器的写电路
    56  一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
    57  一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法
    58  阻变存储器及其操作方法和制造方法
    59  一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器及其制备方法
    60  具有异质结结构的阻变存储器及其读取方法
    61  基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法
    62  一种非挥发阻变存储器
    63  阻变存储器中金属氧化物层的形成方法
    64  阻变存储器的制造方法
    65  一种透明阻变存储器及其制备方法
    66  基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
    67  一种低功耗阻变存储器及其制备方法
    68  一种透明阻变存储器及其制备方法
    69  应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构
    70  基于阻变存储器的编码方法及编码器
    71  阻变存储器中下电极层的形成方法
    72  一种有机阻变存储器及制备方法
    73  有机阻变存储器及其制备方法
    74  一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法
    75  一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法
    76  一种非极性阻变存储器及其制备方法
    77  基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法
    78  一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
    79  一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法
    80  一种有机阻变存储器及其制备方法
    81  阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路
    82  一种多阻态阻变存储器
    83  氧化钨阻变存储器的制造方法
    84  一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
    85  金属氧化物阻变存储器及制造方法
    86  氧化钨阻变存储器的制备方法
    87  氧化锆电阻存储器薄膜制备方法及其阻变特性的测试方法
    88  一种多值阻变存储器及其制备方法
    89  一种阻变存储器制备方法
    90  阻变存储器及其制备方法
    91  阻变存储器及其制备方法
    92  阻变存储器及其制备方法
    93  一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及制备方法
    94  基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法
    95  一种阻变存储器的写前读电路及其操作方法
    96  阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法
    97  阻变存储器及降低其形成电压的方法
    98  一种阻变存储器及其制备方法
    99  基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法
    100  一种阻变存储器及其制备方法
    101  一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器
    102  阻变存储器及其制备方法
    103  一种透明柔性阻变存储器及其制备方法
    104  阻变存储器及其制备方法
    105  一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法
    106  一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法
    107  一种双极性多级平面阻变存储器及其导电衬底与制备方法
    108  阻变存储器单元
    109  一种免电激活的阻变存储器及其制备方法
    110  阻变存储器及其制造方法
    111  阻变存储器单元及其制造方法
    112  一种可调控介质层磁性的阻变存储器
    113  全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用
    114  一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构的制造方法
    115  一种集成阻变存储器器件的隧穿晶体管结构及其制造方法
    116  一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法
    117  阻变存储器及其制造方法
    118  阻变存储器及其制造方法
    119  一种电压可调的磁阻变随机存储单元及其随机存储器
    120  单极阻变存储器及其制造方法
    121  一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
    122  一种小电极结构阻变存储器及其制备方法
    123  阻变存储器的制备方法及阻变存储器
    124  一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法
    125  一种阻变存储器及其制备方法
    126  一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置
    127  减小阻变存储器转变电流的方法
    128  一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
    129  一种低功耗阻变存储器结构及制备方法
    130  一种阻变存储器的制备方法
    131  一种阻变存储器及其制造方法
    132  一种透明阻变存储器
    133  一种小尺寸阻变存储器及其制备方法
    134  一种阻变存储器的制备方法
    135  阻变存储器及其制造方法
    136  一种抑制阻变存储器阻态波动性的方法
    137  一种双极晶体管选通的阻变存储器、阵列及其制造方法
    138  具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法
    139  具有交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法
    140  一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法
    141  基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及制备方法
    142  一种阻变式存储器单元
    143  一种大容量多值阻变存储器
    144  多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法
    145  单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法
    146  一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器及其制备方法
    147  一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法
    148  一种双向可控整流阻变存储器
    149  一种采用电场增强层的阻变存储器结构及其制备方法
    150  一种透明有机阻变存储器
    151  一种柔性有机阻变存储器及其制备方法
    152  一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器
    153  一种具有自整流效应的阻变存储器
    154  一种双极阻变存储器
    155  一种采用电场增强层的阻变存储器及其制备方法
    156  一种基于氧化锌的极性可控阻变存储器及其制备方法
    157  一种融入了阻变材料的多位快闪存储器
    158  一种双极阻变存储器及其制备方法
    159  一种阻变存储器及其制备方法
    160  一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器
    161  具有尖峰状底电极的有机阻变存储器及其制备方法
    162  具有自选择抗串扰功能的阻变存储器及交叉阵列存储电路
    163  一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器及其制备方法
    164  一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
    165  一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
    166  基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法
    167  阻变存储器存储单元及其制备方法
    168  一种阻变特性优化的阻变存储器及其制备方法
    169  基于全低温工艺的柔性纳米点阻变存储器及其制造方法
    170  非易失性阻变存储器
    171  一种阻变存储器及其制备方法
    172  一种非易失性阻变存储器及其制备方法
    173  一种柔性阻变存储器及其制备方法
    174  一种阻变存储器及其制备方法
    175  一种阻变存储器及其制备方法
    176  一种纳米线阻变存储器及其实现方法
    177  基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
    178  一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺
    179  一种低电压阻变存储器及其制备方法
    180  一种减小阻变存储器阻值离散性的方法

    配送说明

    ...

孔网分类